Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Автор:
Карабешкин, Константин Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.04, 01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние амплитудного и фазового профиля лазерного пучка на процессы самовоздействия | Лебедева, Татьяна Петровна | 1984 |
| Визуализация кристаллической структуры поверхности отраженными электронами | Пронин, Игорь Иванович | 2000 |
| Электронные эффекты в слоистых структурах на основе диоксида ванадия | Кулдин, Николай Александрович | 2006 |