Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Автор:
Карабешкин, Константин Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.04, 01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий», автор — Карабешкин, Константин Валерьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.04, 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2013 году. Объем работы: 131 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006597704. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Модель разряда в источнике плазмы магнетронной распылительной системы на постоянном токе | Рычков, Дмитрий Сергеевич | 2004 |
| Теоретическое исследование нелинейных режимов работы электронно-пучковых систем типа "О" | Холодов, Владимир Иванович | 1985 |
| Физические принципы организации МГД обратной связи и переноса спектра в молекулярно-электронных системах | Харламов, Алексей Валерьевич | 2001 |