Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Автор:
Карабешкин, Константин Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.04, 01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптико-спектральные исследования пылевых структур в плазме тлеющего разряда | Подрядчиков, Сергей Федорович | 2004 |
| Движение ионов в высокочастотном гармоническом и импульсном электрических полях с амплитудной модуляцией | Махмудов, Марат Наильевич | 2006 |
| Исследование разрушения сегнетокерамики при одновременном действии электрического поля и механических напряжений | Коренева, Вера Викторовна | 2014 |