Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Автор:
Карабешкин, Константин Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.04, 01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка эпитаксиальной технологии получения сульфида кадмия и свойства гетероструктуры CdS - ZnO | Казимагомедов, Рустам Муртузалиевич | 2008 |
| Эффективные импульсно-периодические источники черенковского излучения на основе сильноточных электронных пучков | Ростов, Владислав Владимирович | 2001 |
| Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов | Ерофеев, Евгений Викторович | 2012 |