Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Автор:
Карабешкин, Константин Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.04, 01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий», автор — Карабешкин, Константин Валерьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.04, 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2013 году. Объем работы: 131 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006597704. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Прозрачные омические контакты для изделий гетероструктурной полупроводниковой оптоэлектроники | Жидик, Юрий Сергеевич | 2019 |
| Разработка эпитаксиальной технологии получения сульфида кадмия и свойства гетероструктуры CdS - ZnO | Казимагомедов, Рустам Муртузалиевич | 2008 |
| Оптико-спектральные исследования пылевых структур в плазме тлеющего разряда | Подрядчиков, Сергей Федорович | 2004 |