Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Железный, Сергей Владимирович
05.27.06
Кандидатская
1999
Воронеж
133 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
ГЛАВА 1. Воздействие импульсного излучения на
свойства полупроводниковых материалов.
1.1. Электронно-деформационно-тепловая модель Влияния 10 импульсного светового воздействия на физические
свойства полупроводников.
1.1.1. Генерация дефектов в полупроводниках при 15 допороговых значениях энергии импульса.
1.1.2. Генерация дефектов при надпороговых режимах 23 импульсного лазерного отжига.
1.2. Воздействие лазерным импульсом, приводящее к 28 плавлению поверхности полупроводника.
1.3. Плавление поверхности полупроводника при 33 воздействии импульса некогерентного излучения.
1.3.1. Анизотропное локальное плавление
1.3.2. Механизмы локального зарождения жидкой фазы на 41 поверхности полупроводников.
1.3.3. Процессы кристаллизации аморфного кремния, 45 стимулированные импульсным воздействием.
1.4. Выводы и постановка задачи на исследование
ГЛАВА 2. Методика проведения эксперимента
2.1. Образцы для исследования
2.2. Обработка импульсным лазерным излучением
2.3. Импульсная обработка некогерентным излучением
2.4. Методики исследования физических свойств образцов
ГЛАВА 3. Образование дефектов в полупроводниковых материалах при различных режимах импульсной лазерной обработки.
3.1. Дефектообразование в полупроводниках при режимах облучения, не приводящих к плавлению поверхности.
3.2. Формирование дефектов в полупроводниках при режимах лазерного облучения, приводящих к плавлению материала.
ГЛАВА 4. Процессы плавления и кристаллизации полупроводников при импульсном световом облучении.
4.1. Морфология локальных областей плавления ионно-имплантированного кремния при импульсном облучении.
4.2. Методика контроля плотности энергии некогерентного излучения.
4.3. Кинетика локального плавления кремния при импульсном некогерентном облучении.
4.3.1. Кинетика доплавильного нагрева кристалла.
4.3.2. Кинетика роста локальной области плавления при импульсном нагреве кристалла.
4.4. Кристаллизация аморфного кремния, стимулированная импульсным некогерентным излучением.
4.5. Кристаллизация аморфного кремния, стимулированная импульсным лазерным излучением.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА.
Актуальность темы. В настоящее время при создании полупроводниковых приборов на основе элементарных и бинарных полупроводниковых материалов одним из наиболее перспективных методов, позволяющих модифицировать свойства приповерхностных слоев, является обработка полупроводников концентрированными потоками энергии. Поверхностная обработка может осуществляться как в стационарном, так и в импульсном режимах. Импульсная обработка характеризуется рядом преимуществ по сравнению со стационарной [1], такими, как локальность воздействия (при помощи лазерного излучения), возможность, более точного управления процессом, уменьшением диффузионных и химических взаимодействий и т.д. Импульсное воздействие осуществляется при помощи ленточных нагревателей, электронных пучков, а также светового когерентного и некогерентного излучения. Импульсная обработка производится в довольно широком временном интервале: от фемто- и пикосекундных длительностей импульса до десятков секунд. Так как спектральный диапазон источника излучения обычно соответствует области фундаментального поглощения света полупроводниками (а-Ю’-Ю4 см'1), то световая энергия в основном поглощается в слоях толщиной ~10"3-10"5 см. Поэтому технология импульсного светового облучения особенно перспективна для обработки поверхности, тонких приповерхностных слоев, что особенно важно при производстве больших интегральных схем (БИС) и сверхбольших интегральных схем (СБИС) [2]. Световое импульсное воздействие нашло применение в технологии полупроводникового производства при проведении отжига ионно-имплантированных слоев, геттерирования дефектов, кристаллизации аморфных слоев, отжига и генерации дефектных центров в приповерхностных областях кристаллов. Основное преимущество импульсного светового воздействия по сравнению с другими методами отжига - возможность высокоэнергетичной обработки материала при малых значениях длительности воздействия. При этом
Рис. 2.1 Схема установки КВАНТ-12: 1 - источник лазерного излучения на алюмо-иттриевом гранате, 2 - фокусирующая система СОК-1, 3 - система управления, 4 - предметный столик, 5 - обрабатываемый образец.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Разработка основ технологии новых металлоуглеродных нанокомпозитов и углеродного нанокристаллического материала под действием ИК нагрева полимеров | Козлов, Владимир Валентинович | 2009 |
Изучение седловинных точек на поверхности ликвидуса и солидуса в тройных системах с трифторидами редкоземельных элементов | Стасюк, Владимир Александрович | 1998 |
Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров | Авдиенко, Александр Андреевич | 2004 |