+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

"Толстые" пленки YBa2 Cu3 O7- δ для криоэлектроники

  • Автор:

    Тумаркин, Андрей Вилевич

  • Шифр специальности:

    05.27.02

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    1998

  • Место защиты:

    Санкт-Петербург

  • Количество страниц:

    136 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Оглавление
Введение
Глава 1. Методы получения и исследования высокотемпературного сверхпроводника УВагСизО?
1.1 Структура и физические свойства материала УВСО
1.2 Методы получения высококачественных пленок УВСО
1.3 Особенности получения толстых пленок УВСО
1.4 Методы исследования структуры и состава пленок
1.4.1 Метод рентгеновской дифрактометрии
1.4.2 Электронный микроанализ
1.4.3 Резерфордовское обратное рассеяние
1.5 Методы исследования электрофизических
характеристик пленок
Глава 2. Получение и исследование толстых пленок УВСО
2.1 Буферные слои для пленок УВСО на сапфире
2.2 Технологический процесс получения пленок УВСО
2.3 Исследование состава, структуры и морфологии
пленок УВСО различной толщины
2.3.1 Исследования структуры пленок различной толщины методом рентгеновской дифрактометрии
2.3.2 Исследование пленок методом электронной
микроскопии

2.3.3 Исследование пленок УВСО различной толщины методом Резерфордовского обратного рассеяния
Глава 3. Исследование электрофизических характеристик
пленок УВСО различной толщины
3.1 Исследование СВЧ поверхностного сопротивления
в пленках УВСО различной толщины
3.2 Исследование критической плотности тока
в пленках УВСО различной толщины
Заключение
Список литературы
Приложение 1. СВЧ криоэлектронные элементы на основе толстых пленок УВагСизОт-з

ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время явление сверхпроводимости широко применяется для создания различных электронных приборов и устройств. Практическое использование сверхпроводимости является важной и актуальной задачей. Поэтому открытие Беднорцем и Мюллером сверхпроводимости в сложных металлических оксидах в 1986 г. привело к резкому росту исследовательской деятельности многих лабораторий мира. Одним из преимуществ этого открытия явилось то, что для новых сверхпроводниковых материалов в качестве охлаждающей среды применяется широко распространенный и относительно дешевый жидкий азот, вместо дорогостоящего жидкого гелия. Это позволило значительно продвинуться в практическом применении сверхпроводимости и в области ее изучения как физического явления.
Усилия исследователей, направленные на синтез и исследование новых материалов, показали преимущества и недостатки этих материалов, а также перспективы их будущего применения. Традиционные сверхпроводники- это металлы, сплавы и интерметаллические соединения с температурами перехода в сверхпроводящее состояние (критическая температура) Тс < 20-24 К, в то время, как у сверхпроводящих материалов класса сложных металлических оксидов температура перехода Тс > 77 К -температуры кипения жидкого азота. Были синтезированы соединения из систем Y-Ba-Cu-O, Bi-Sr-Ca-Cu-O, Tl-Ca-Ba-Cu-O и Hg-Ba-Ca-Cu-O, имеющие температуры перехода Тс соответственно 90 К, 110 К, 125 К и 135 К. Эти материалы получили название: «Высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП)».
Возможность работы ВТСП материалов при температуре жидкого азота привлекла внимание конструкторов электронных приборов. Это привело к тому, что уже сегодня спектр приборов на основе ВТСП пленок
При осаждении на прозрачные диэлектрические подложки ( МДО, БгТЮз, ЬаО и др.) изменение температуры растущей пленки может быть связано с тем, что она, будучи металлической, гораздо лучше поглощает (и излучает) ИК излучение от нагревателя. Эти изменения должны происходить при толщине пленки, сравнимой с глубиной поглощения ИК - излучения. В системе нагреватель - подложка - пленка излучение является основным путем теплообмена, и отдача тепла также, в основном, происходит через излучение. Авторы [1] оценили, что пленка должна охлаждаться на 40°С для подложки 1УО и на 30°С для подложки БгТЮз на толщине 0,8 мкм. Их модель учитывала излучательный и конвекционный (за счет присутствия в камере Ог и Аг) теплообмен между пленкой, подложкой и нагревателем, при этом модель не учитывала излучательный теплообмен между пленкой и другими частями системы. Приведенные в [1] данные показывают, что для роста а - ориентированной фазы пленка должна охладиться на 120 -150°С. Анализируя полученные в работе результаты, можно сделать вывод, что изменения в излучательной способности пленки не могут объяснить требуемое уменьшение температуры подложки от оптимальной величины, когда преобладает с_г ориентированный рост, до температуры, когда преобладает Си- ориентированный рост.
Другая модель предложена в [59]. Увеличивая температуру подложки в процессе роста, авторы сумели увеличить критическую толщину, при которой появляется Си- фаза и вырастить пленки толщиной до 5 мкм с содержанием Си- фазы » 1-г4 %. Из зависимости критической толщины пленки от температуры нагревателя была получена скорость охлаждения поверхности с ростом толщины порядка 20ч-40°С/мкм. Авторы полагают, что это объясняется увеличением излучательной способности на 30-50% на 1 мкм толщины, вызванным увеличением шероховатости поверхности с увеличением толщины. Однако такое линейное увеличение площади поверхности в столь значительном диапазоне толщины представляется

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.101, запросов: 967