+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов

  • Автор:

    Ратникова, Александра Константиновна

  • Шифр специальности:

    05.27.01

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2012

  • Место защиты:

    Фрязино

  • Количество страниц:

    126 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ
Введение
1Л Оценка области нелокального тепловыделения в мощных полевых транзисторах
1.2 Моделирование теплового режима в полупроводниковых приборов с теплоотводами из различных материалов
1.2.1 Тепловой режим диодов Шоттки на карбиде кремния
1.2.2 Тепловой режим СВЧ транзисторов на основе
арсенида галлия
1.2.3 Тепловой режим транзисторов на основе
нитрида галлия
1.2.4 Анализ эффективности использования теплоотводов
из поликристаллического алмаза
1.3 Заключение 44 ГЛАВА 2. АЛМАЗНЫЙ ТЕПЛООТВОД
СПЕЦИАЛЬНОЙ ФОРМЫ
Введение
2.1 Конструкция алмазного теплоотвода
2.2 Получение изделий из пластин поликристаллического алмаза
2.3 Заключение
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ТЕПЛООТВОДОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА
Введение
3.1 Исследование физических процессов при термохимической
обработке поверхности поликристаллического алмаза
3.2 Высокоадгезионная теплопроводящая металлизация поликристаллического алмаза
3.3 Обработка поверхности композиционного материала
алмаз - карбид кремния - кремний
3.4 Особенности роста пленок на поверхности
поликристаллического алмаза
3.5 Заключение 92 ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ
КАЧЕСТВА АЛМАЗНЫХ ПЛАСТИН И ТЕПЛООТВОДОВ 94 Введение
4.1 Контроль теплопроводности
4.1.1 Измерения теплопроводности при воздействии нестационарного температурного поля
4.1.2 Измерения теплопроводности при воздействии стационарного температурного потока
4.2 Контроль теплового сопротивления
4.3 Контроль адгезии
4.4 Заключение
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы. Одной из основных задач современной электроники является совершенствование электронной аппаратуры, в том числе уменьшение её массогабаритов при сохранении или достижении более высоких выходных параметров. Схемотехнические решения на базе дискретных корпусированных полупроводниковых элементов, в большинстве своём не изолированных электрически от корпуса, практически не позволяют снизить массогабариты приборов. Существенно уменьшить габариты может позволить использование бескорпусных кристаллов диодов и транзисторов, но при этом возникает проблема отвода тепла, выделяющегося при работе приборов. Дополнительная сложность заключается в том, что кристаллы, как правило, должны быть электрически изолированы от корпуса.
Проблема эффективного отвода тепла при этом решается путём использования в качестве теплоотводящего основания бериллиевой и алюмонитридной керамики, меди, сапфира. С учетом резкого роста мощности современных полупроводниковых приборов теплоотводы на основе меди, бериллиевой керамики, а тем более сапфира не всегда удовлетворяют потребностям отвода тепла от активной области прибора. Поэтому в последнее время все более пристальное внимание разработчиков теплоотводов обращено на поликристаллический CVD-алмаз (CVD: chemical vapor deposition - химическое осаждение из газовой фазы), выращиваемый в плазмохимическом реакторе на основе СВЧ разряда на подложке из кремния.
Интерес к этому материалу вызван его уникальными физикохимическими свойствами и возможностью получения теплоотводящих подложек большой площади. Будучи изолятором, CVD-алмаз обладает существенно более высокой теплопроводностью.

Моделируемая система имеет слоистую структуру, где:
N - количество слоев в моделируемом теле;
А, В - поперечный и продольный размеры моделируемого тела; а, Ь - поперечный и продольный размеры области тепловыделения;
То - температура нижней грани; р - мощность, выделяемая в области тепловыделения; хуг - координаты точек по осям хуг, для которых определяются температурные распределения;
Их 1% № - количество точек по осям хуг.
В зависимости от введенного числа N вводятся значения теплопроводностей слоев (Х„ А-2, Хм) и координаты границ слоев (г, 22, гм). Далее проводится расчет и построение графиков распределения температуры.
1.2.1 Тепловой режим диодов Шоттки на карбиде кремния
Рассчитывалась модель прибора, состоящая из кристалла карбида кремния, алмазного теплоотвода и медного основания - фланца корпуса транзистора (рис. 12) [27, 28].
Рис. 12. Моделируемый прибор, расположенный на алмазном теплоотводе (область тепловыделения показана зеленым цветом).
Расчет широкозонных карбидокремниевых диодов Шоттки связан с
перспективностью применения их в силовой электронике в связи с высокими

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.140, запросов: 967