Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
- Автор:
Гейфман, Евгений Моисеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Саранск
- Количество страниц:
349 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Модификация процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам силовых полупроводниковых приборов | Каданцев, Игорь Александрович | 2011 |
| Методы моделирования СБИС с использованием полунатурной модели МОП-транзистора | Денисенко, Виктор Васильевич | 2010 |
| Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами | Иконников, Антон Владимирович | 2006 |