Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
- Автор:
Гейфман, Евгений Моисеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Саранск
- Количество страниц:
349 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Многослойные структуры, включающие слои на основе бактериородопсина, для компонентов информационных систем и нейросетевых технологий | Гребенников, Евгений Петрович | 2000 |
| Разработка и исследование технологических основ создания массивов вертикально ориентированных углеродных нанотрубок для устройств микроэлектронной сенсорики | Климин, Виктор Сергеевич | 2013 |
| Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью | Корнеев, Иван Владимирович | 2011 |