Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
- Автор:
Гейфман, Евгений Моисеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Саранск
- Количество страниц:
349 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование и разработка методов снижения энергопотребления при проектировании микропроцессорных СБИС | Лобанова, Анна Юрьевна | 2012 |
| Структурно-логические и схемотехнические методы повышения энергоэффективности СБИС для носимых приемопередатчиков с кодовым разделением канала | Тимошенко, Александр Геннадиевич | 2009 |
| Исследование стадии включения элементов энергонезависимой памяти на фазовых переходах | Ануфриев, Юрий Владимирович | 2009 |