Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
- Автор:
Гейфман, Евгений Моисеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Саранск
- Количество страниц:
349 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Коллективное поведение вихрей и когерентное излучение электромагнитных волн в джозефсоновских структурах | Курин, Владислав Викторович | 2002 |
| Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощных электромагнитных импульсов | Мещеряков, Сергей Александрович | 2014 |
| Квазигидродинамическое моделирование высокополевого электронного дрейфа в полупроводниковых субмикронных структурах с периодическими неоднородностями | Якупов, Марат Назирович | 2006 |