Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
- Автор:
Гейфман, Евгений Моисеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Саранск
- Количество страниц:
349 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием», автор — Гейфман, Евгений Моисеевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Саранск в 2000 году. Объем работы: 349 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000262001. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов | Эннс, Всеволод Викторович | 2009 |
| Разработка системы изотопного анализа UF6 и мониторинга HF в атмосфере на основе полупроводниковых приборов | Семенов, Владимир Михайлович | 2014 |
| Разработка технологии КМОП ИС на структурах КНД | Кольцов, Борис Борисович | 2001 |