Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
- Автор:
Гейфман, Евгений Моисеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Саранск
- Количество страниц:
349 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия | Яблочкина, Галина Ивановна | 2002 |
| Конструктивно-технологические решения изготовления наноразмерных автоэмиссионных катодов на основе пленок мультиграфена на карбиде кремния | Житяев, Игорь Леонидович | 2019 |
| Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием | Хабибуллин, Рустам Анварович | 2012 |