Электромагнитные резонансные явления в экранированных модулях быстродействующих электронных вычислительных средств

• Автор: Замалетдинова, Луиза Язкаровна
• Шифр специальности: 05.13.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 144 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ. КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ
ГЛАВА 1. Аналитический обзор литературы
ГЛАВА 2. Электродинамическая модель экранированного
модуля узла ЭВС в виде частично заполненного резонатора
2.1. Экранирование. Назначение Классификация электромагнитных экранов. Основные характеристики
2.2. Определение эквивалентных параметров диэлектрического материала с потерями
2.3.Определение собственных полей и частот частично
заполненного резонатора материалом с потерями
2.3.1.Классификация резонаторных структур. Основные параметры резонаторов
2.3.2.Классификация электромагнитных полей частично заполненного резонатора на поля электрического и магнитного типов
2.3.3.Построение собственных волн и трансцендентных уравнений для резонатора І-го типа
2.3.4.Построение собственных волн и трансцендентных уравнений для резонатора 2-го типа
2.3.5. Методика решения трансцендентных уравнений
2.4. Методика определения дополнительных тепловых потерь в
экранированных модулях ЭВС за счет высокочастотной части спектра

2.4.1.Определение тепловых источников за счет
высокочастотной части спектра электромагнитной энергии
2.4.2.0писание используемой тепловой модели узла
вычислительного устройства
ГЛАВА 3. Распределение электромагнитных полей внутри экранируемого объема
3.1.Возбуждение частично заполненного резонатора объемными токами
3.2.Влияние внешних полей на распределение электромагнитных волн внутри экрана
3.2.1 .Задача возбуждения частично заполненного
резонатора поверхностными магнитными токами
3.2.2.Задача возбуждения частично заполненного
резонатора поверхностными электрическими
токами
3.2.3.Примеры распределения энергии электромагнитного поля в результате проникновения электромагнитных полей сквозь щели экрана
ГЛАВА 4. Электродинамическая модель ввода вывода в экранируемую область в виде запредельного волновода
4.1. Модель соединения двух волноводов прямоугольного сечения со значительной разницей в размерах, расположенных произвольным образом по отношению к друг другу

4.1.1. Анализ матричных коэффициентов

4.1.2. Соединение двух волноводов без учета отраженных
волн питающего волновода
4.1.3.Решение в электрической метрике задачи соединения
двух волноводов
4.1.4. Проверка правильности решения модели соединения двух волноводов на выполнение энергетического
баланса на стыке их соединения
4.2. Определение электромагнитных полей экранируемого пространства в результате проникновения внешнего электромагнитного поля через щели экрана, выполненные в виде отрезка запредельного волновода
4.2.1 .Определение коэффициентов отражения
4.2.2. Оценка точности модели возбуждения частично заполненного резонатора посредством соединяемого волновода
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ
следовательно, еэ ,тэз=6 6,25-в0=3 7,5 -80.
Тогда среднеобъемная диэлектрическая проницаемость для набора из 11 ТЭЗов составит 5,29-е0. Тангенс угла потерь стеклотекстолита в диапазоне СВЧ частот равен 0.25, что соответствует проводимости 0.75См-м. Проводимость воздуха равна нулю. В качестве эквивалентной проводимости искусственного диэлектрического материала берется среднеобъемная проводимость составляющих объема, которыми являются ТЭЗ и воздух. В этом случае эквивалентная проводимость для набора из 11 ТЭЗов составит 0.044 См-м.
2.3.Определение собственных полей и частот частично заполненного резонатора материалом с потерями.
2.3.1. Классификация резонаторных структур. Основные параметры резонаторов.
Объемные резонаторы представляют собой полости, ограниченные с внутренних сторон металлическими поверхностями. Они используются в диапазоне СВЧ частот, т.к. колебательные системы с сосредоточенными индуктивностями и емкостями в данной полосе частот непригодны из-за значительных потерь - в качестве СВЧ фильтров, волномеров, колебательных систем генераторов и усилителей, эхо-камер и т.п. На наблюдении изменений параметров резонаторов под воздействием вводимых в них твердых, жидких или газообразных