Анализ и оптимизация фотолитографических процессов при флуктуации параметров фоторезистной пленки

• Автор: Гайнуллина, Наталья Романовна
• Шифр специальности: 05.12.21
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 132 с. : ил.

Оглавление
Введение
Г лава 1. Аналитический обзор литературы, постановка цели
и задач исследований
1Л. Состояние рынка продукции микроэлектроники
1.2. Технологический процесс фотолитографии
1.2.1. Технологическая схема процесса, материалы, обору-дование
1.2.2. Свойства фоторезистов и пленок на их основе
1.3. Процессы, оказывающие влияние на точность воспроизведения элементов микросхем при фотолитографии
1.3.1. Оптические процессы
1.3.2. С ов м ещение
1.3.3. Проявление
1.3.4. Травление
1.4. Постановка цели и задач исследований
Глава 2. Математическое моделирование и оптимизация процесса пленкообразования фоторезиста
2.1. Современное состояние вопроса по пленкообразованию фоторезиста
2.2. Обоснование схемы нанесения фоторезиста
2.3. Обоснование выбора методики измерения толщины пленок фоторезиста
2.4. Математическое моделирование процесса пленкообразования фоторезиста
2.4.1. Реологические исследования позитивного фоторезиста...59.

2.4.2. Исследование зависимости толщины пленок фоторезиста от скорости вращения центрифуг и и от вязкости фоторезиста
2.4.3. Разработка математической модели процесса пленко-образования фоторезиста с применением полного факторного эксперимента
2.4.4. Определение оптимальных технологических режимов процесса получения пленок фоторезиста
2.4.5. Оценка резко выделяющихся результатов экспериментальных измерений
Выводы по главе
Глава 3. Экспериментально - аналитический метод определения
вероятностных характеристик толщины фоторезистных пленок..7
3.1. Анализ распределения толщины пленки фоторезиста по подложке
3.2. Плотность распределения толщины пленки фоторезиста 7М.
3.3. Разработка методики статистического исследования распределения толщины пленки фоторезиста по поверхности подложки
3.4. Постановка, проведение эксперимента и обработка результатов
Выводы по главе
Глава 4. Анализ процесса фотолитографии и оптимальный синтез фотошаблона
4.1. Статистический анализ процесса фотолитографии
4.1.1. Функциональные преобразования размеров рисунка фотошаблона в процессе экспонирования и проявления
фотослоя.

4.1.2. Преобразование размеров рисунка фотошаблона в процессе травления тонких пленок
4.2. Разновидности технологических процессов
4.3. Статистический синтез фотошаблона
4.4. Экспериментальное определение величины искажения ширины линии рисунка фотошаблона и параметров полигаус-сова распределения ширины
4.5. Влияние оптимизации фотошаблона на выходные параметры тонкопленочного датчика температуры
Выводы по главе 4
Заключение
Список литературы

Приложения.
где Е - поглощенная фоторезистом энергия.
Первый сомножитель зависит от свойств конкретного фоторезиста и процесса его обработки, а второй - только от свойств оптической системы. Величина ЗЕ/<5х характеризует распределение интенсивности в изображении и зависит от длины волны экспонирования (А,), числовой апертуры (ИА), отклонения положения плоскости фоторезиста от фокальной плоскости (Л2) и однородности освещения:
Параметр (К) равен единице или слегка отличается от нее для различных степеней частичной когерентности освещения. Контраст позитивного фоторезиста определяется как
где Е1 - энергия экспозиции, ниже которой не происходит удаления фоторезиста в проявителе,
Ео - энергия экспозиции, при которой фоторезист полностью удаляется при проявлении.
Обычно Е1 не зависит от толщины фоторезиста, тогда как Ео на глубине (1) зависит от поглощения в слое фоторезиста толщиной (1) ( Ео10"“1). С учётом этого
где р - постоянная,
а - коэффициент поглощения фоторезиста.
При а = 0,4 поглощение света в пленке фоторезиста однородно, а У = 2,5. В этом случае
(1.18)
(1.19)
У = ( р + сц Г1
(1.20)