Информационно-измерительная система для контроля микроструктуры и фазового состава тонкопленочных материалов

• Автор: Григорьев, Алексей Валерьевич
• Шифр специальности: 05.11.16
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Пенза
• Количество страниц: 158 с.

Введение
Содержание

Глава 1. Состояние вопроса и задачи исследований §1.1. Постановка задачи измерения параметров электронно-дифракционных картин
§1.2. Выбор приемно-измерительного устройства.
§1.3. Методы и средства измерения параметров тонких пленок на основании анализа электронно-дифракционных картин §1.4. Анализ источников возникновения погрешностей измерения интенсивности рассеяния электронов. Статистика счета электронных импульсов
§1.5. Специфика проблем измерения и анализа параметров микроструктуры и фазового состава ориентированных мультислойных пленок Ленгмюра-Блоджетт
Глава 2. Разработка методов и средств машинного зрения для измерения и анализа параметров микроструктуры и фазового состава тонкопленочных материалов §2.1. Общие сведения
§2.2 Предварительная обработка электронно-дифракционных картин §2.3. Распознавание изображений объектов на электронно-дифракционной картине
§2.4. Измерение координат и интенсивностей электронно-дифракционных рефлексов
2.5. Аппаратное обеспечение системы измерения параметров электронно-дифракционных картин

ГЛАВА 3. Быстродействующая автоматизированная система электронно-счетного измерения интенсивности рассеяния электронов
§ЗЛ. Статистическая модель электронно-счетного измерения интенсивности электронных потоков
§3.2.Электронно-счетное измерение с многоканальным накоплением 80 §3.3. Последовательная дискретная многопороговая система измерения интенсивности рассеяния электронов
Глава 4. Коррекция погрешности нелинейности при электронно-счетном измерении интенсивности рассеяния электронов
§4.1. Управление процессом электронно-счетных измерений в электронной дифрактометрии
§4.2. Погрешность нелинейности в сцинтилляционных счетчиках
§4.3. Программные средства коррекции погрешности нелинейности при электронно-счетном измерении интенсивности рассеяния электронов
§4.4. Влияние параметров сцинтилляционных импульсов на погрешность многоканального электронно-счетного измерения интенсивности рассеяния электронов
Заключение и общие выводы
Список основных работ, опубликованных по теме диссертации
Литература
Приложение

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность работы.
Развитие технологии производства изделий микроэлектроники в направлении повышения степени интеграции создаваемых структур привело к тому, что традиционные методы перестали обеспечивать необходимую плотность упаковки элементов, так как эти методы подошли к своему теоретическому пределу по разрешающей способности. Развитие микроэлектронных технологий идет по пути поиска принципиально новых решений. В настоящее время сформировалось новое научное направление — молекулярная электроника. Базовыми компонентами изделий молекулярной электроники являются тонкопленочные материалы. Наиболее перспективной технологией их получения является технология Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ).
В основу метода ЛБ положено свойство молекул определенного класса (амфифильных) образовывать мономолекулярные слои на границе раздела фаз газ/жидкость. Эти молекулы сложной структуры имеют области, притягивающиеся к жидкой фазе (гидрофильные) и отталкивающиеся от нее (гидрофобные). На границе раздела фаз газ/жидкость они ориентируются гидрофильной областью к поверхности жидкой фазы, а гидрофобной — от нее. Круг веществ, способных образовывать монослои на поверхности воды, очень широк и охватывает большое число разнообразных органических соединений: длинноцепочечные кислоты, спирты, амины, кетоны, фосфолипиды, порфирины, хлорофилл, полипептиды, полимеры и др.
Метод ЛБ позволяет комбинировать слои из молекул разного сорта и тем самым формировать системы сложной молекулярной архитектуры. Применение ЛБ пленок перспективно в различных областях, например, при создании фото-люминесцентных приборов, при изготовлении сенсоров, волноводов, фотолитографического резиста.
В частности, для изготовления сенсорных элементов изделий молекуляр-

при решения задач проведения структурных определений для объектов сложной молекулярной архитектуры (точность на уровне единиц процентов, быстродействие на уровне единиц секунд).
4. Установление факторов, влияющих на погрешность нелинейности измерения интенсивности рассеяния электронов, и разработка методов ее коррекции.