Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина
- Автор:
Вострухин, Олег Александрович
- Шифр специальности:
02.00.19
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
142 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Глубокая очистка серы от углерода, мышьяка и селена методом противоточной кристаллизации из расплава | Малышев, Александр Юрьевич | 2000 |
| Физико-химические основы получения гетероэпитаксиальных слоев Cd x Hg1-x Te из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура | Моисеев, Александр Николаевич | 1999 |
| Волоконные световоды на основе высокочистого кварцевого стекла с высокой концентрацией легирующих элементов, полученные методом MCVD | Иванов, Геннадий Анатольевич | 1998 |