Лазерное инициирование гетерогенных процессов в жидкой фазе

• Автор: Шафеев, Георгий Айратович
• Шифр специальности: 01.04.21
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 233 с. : ил.

Глава 1. Введение
Глава 2. Лазерно-индуцированное осаждение из жидкой фазы. Введение
§ 2.1. Осаждение металла при лазерном облучении полупроводника в электролите
§ 2.2. Осаждение металлов из растворов металлоорганических комплексов
§ 2.3. Осаждение кластеров из жидкой фазы. Модель лазерной коагуляции
§ 2.4. Лазерное осаждение нанокристаллического графита из жидких ароматических углеводородов
§ 2.5. Выводы к главе 2
Литература к главе 2
Глава 3. Лазерная активация и металлизация диэлектриков. Введение
§ 3.1. Активация АЬОз
§ 3.2 Активация 81С
§ 3.2.1. Неконгруэнтная абляция
§ 3.2.2. Свойства металлических контактов, осаждаемых на Б1С при лазерной активации
§ 3.3. Активация алмаза
§ 3.4. Активация Zr02
§ 3.5. Активация других диэлектриков
§ 3.6. Обсуждение
§ 3.7. Выводы к главе 3
Литература к главе 3
Глава 4. Лазерная абляция поглощающего твердого тела в жидкости. Введение
§ 4.1. Абляция БЮ на воздухе и в жидкостях
§ 4.2. Обсуждение результатов
§ 4.3. Абляция элементарного кремния в химически нейтральных жидкостях
§ 4.4. Абляция алмаза в воздухе и жидкостях
§ 4.5. Выводы к главе 4
Литература к главе 4
Глава 5. Абляция при импульсном лазерном нагреве границы раздела прозрачный диэлектрик- поглощающая жидкость. Введение
§5.1. Экспериментальные результаты по абляции сапфира
§ 5.2. Автомодуляция глубины
§ 5.3. Модель температурного распределения при абляции прозрачных диэлектриков. Обсуждение результатов
§ 5.4. Абляция сапфира в неводных растворах
§ 5.5. Абляция прозрачных диэлектриков при образовании алмазоподобной пленки
§ 5.6. Выводы к главе 5
Литература к главе 5
Глава 6. Осаждение при лазерном облучении границы раздела прозрачный диэлектрик-поглощающая жидкость. Введение
§ 6.1. Осаждение оксидных пленок при лазерном нагреве поглощающих водных растворов.
§ 6.1.1. Импульсное лазерное излучение. Эпитаксиальные и нанокристаллические оксидные пленки

выраженных пиков рентгеновской дифракции, т.е. является рентгеноаморфным. При повышенной плотности энергии лазерного излучения (около 1 Дж/см2) одновременно с осаждением углерода наблюдается также абляция 81 подложки [2.24,2.25], так что в результате аблированные участки подложки заполнены углеродом. На рис. 2-8 показан типичный вид углеродных структур, полученных в результате длительной экспозиции ( около 5 минут ) при плотности энергии 0,5 Дж/см2. Высота структур ограничена, в конечном итоге, дефокусировкой лазерного пучка и уменьшением прозрачности жидкого углеводорода вследствие образования углеродных частиц в его объеме [2.25 ].
Увеличенный вид углеродной структуры приведен на рис. 2-9 . Провал на оси структуры обусловлен, по-видимому, экранировкой лазерного пучка газовым пузырем, образующимся при лазерном нагреве. Скорость осаждения такой
Рис. 2-9 . Изолированные структуры из нанокристаллического графита, осажденные на 81 подложку. Расстояние между соседними структурами около 100 мкм, средняя высота структур - около 80 мкм [2.29].