+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Генерирование жестких квантов при стимулированных двухквантовых переходах

  • Автор:

    Задерновский, Анатолий Андреевич

  • Шифр специальности:

    01.04.21

  • Научная степень:

    Докторская

  • Год защиты:

    2001

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    253 с. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы


Содержание
Содержание
Введение
Глава 1. Генерирование жестких фононов при двухквантовых фотон-фононных переходах в непрямозонных полупроводниках
1.1 Введение
1.2 Методы генерирования жестких фононов с частотами близкими к предельно возможным
1.3 Поглощение света при непрямых фотон-фононных переходах в кристаллах
1.4 Скорость стимулированных двухквантовых фотон-фононных переходов
1.5 Усиление фононов при двухквантовых фотон-фононных переходах
1.6 Потери фотонов и фононов в кристаллах
1.7 Скоростные уравнения двухквантовой фотон-фононной генерации
1.8 Динамика двухквантовой фотон-фононной лазерной генерации в кристаллах
1.9 Устойчивость стационарных состояний фотон-фононной генерации
1.10 Оптическая и акустическая прочность кристаллов
1.11 Заключение
Глава 2. Гамма-излучение ядер при стимулировании испускания фононов отдачи
2.1 Введение
2.2 Двухквантовые стимулированные переходы с квантами из разных степеней свободы излучателя
2.3 Эффект Мессбауэра
2.4 Форма линии гамма-излучения ядер в присутствии вынуждающего акустического поля
2.5 Тепловое акустическое поле кристалла
2.6 Вынуждающее акустическое поле ультразвуковой волны

2.7 Спектр гамма-излучения ядер при стимулировании испускания фононов отдачи
2.8 Экспериментальные данные о перестройке спектра гамма-излучения ядер в кристаллах
2.9 Заключение
Глава 3. Индуцированное двухквантовое гамма-излучение свободных ядер при внешнем поджиге
3.1 Введение
3.2 Прблема гамма-лазера
3.3 Двухквантовые стимулированные переходы ядер во встречных фотонных пучках
3.4 Усиление встречных фотонных пучков. Скоростные уравнения
3.5 Поджиг лавинообразной стимулированной двухквантовой генерации
3.6 Динамическая распределенная обратная связь
3.7 Скорость двухквантовых стимулированных переходов
3.8 Уширение линии излучения
3.9 Численные оценки и возможности проведения эксперимента
3.10 Заключение
Глава 4. Индуцированная аннигиляция атомов позитрония при внешнем поджиге
4.1 Введение
4.2 Внешний поджиг индуцированной аннигиляции атомов позитрония
4.3 Поджиг стимулированной лавинообразной двухквантовой аннигиляции атомов парапозитрония
4.4 Скоростные константы двухквантовой индуцированной аннигиляции парапозитрония
4.5 Численные оценки для парапозитрония и возможности проведения эксперимента
4.6 Динамика усиления встречных поджигающих пучков при трехквантовой индуцированной аннигиляции атомов ортопозитрония
4.7 Заключение
Глава 5. Стимулированное гамма-излучение свободных изомерных ядер при антистоксовских переходах
5.1 Введение

5.2 Излучательные ядерные переходы с учетом эффекта отдачи
5.3 Конверсия рентгеновского излучения в стимулированное
гамма излучение изомерных ядер
5.4 Усиление стимулированного гамма излучения
5.5 Численные оценки
5.6 Заключение
Глава 6. Источники рентгеновского излучения большой яркости (обзор зарубежной печати)
6.1 Введение
6.2 Рентгеновские трубки
6.3 Синхротронные источники рентгеновского излучения
второго поколения
6.4 Синхротронные источники рентгеновского
излучения третьего поколения. Спонтанное излучение ондуляторов и вигглеров
6.5 Источники рентгеновского излучения четвертого поколения.
Рентгеновские лазеры на свободных электронах
6.6 Плазменные источники рентгеновского излучения
6.7 Плазменные рентгеновские лазеры
6.8 Комптоновские источники жесткого рентгеновского
и гамма-излучений
6.9 Сравнение различных источников рентгеновского
излучения
Заключение
Литература

Глава 1. Генерирование жестких фононов при двухквантовых
проводимости; с/п - скорость света в полупроводнике с показателем преломления п; Йо - энергия фотона с волновым вектором к; йо>цъ
энергия фонона типа э с волновым вектором Символ Кронекера кі_ч_к выражает закон сохранения квазиимпульса при переходе
электрона с волновым вектором к] из валентной зоны в зону проводимости в состояние с волновым вектором к2 . Как известно (см. напр. [13]), импульсом фотона при этом можно пренебречь. Закон сохранения энергии выражается наличием в (1) 5 -функции. Суммирование по к| и к2 идет по зоне Бриллюэна и включает в себя суммирование и по спинам электронов. Суммирование по э - это суммирование по всем типам и поляризациям фононов, участвующих в процессе поглощения света. Множитель N учитывает число эквивалентных долин зоны проводимости, куда происходит переход электрона. В 8і таких долин шесть в направлениях (100), в Єє число эквивалентных долин восемь в направлениях (111).
Коэффициенты А5 содержат матричный элемент рассматриваемого перехода и зависят от кх, к2, q, к. Мы будем предполагать, что при переходах между состояниями, близкими к краям зон, этой зависимостью можно пренебречь, положив к] = 0, к2=Яо, Ч=Ч0) -Е0. Если А, при этом не обращается в нуль, то
такие переходы называются разрешенными. Именно такая ситуация имеет место для Се и Бі [13, 19]. Кроме того, в энергетических знаменателях матричного элемента мы пренебрежем энергией фонона (~10 2 эВ) по сравнению с энергией фотона (1ю~] эВ).
Особенностью зонной структуры Се является то, что энергетические минимумы зоны проводимости в направлениях (111) расположены на границе зоны Бриллюэна. В связи с этим при

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.088, запросов: 967