Прецизионная электронография

• Автор: Авилов, Анатолий Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.18
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 274 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА Г Электронная дифрактометрия в электронографии
1. Введение. О методах измерения интенсивностей
2. Система электронной дифрактометрии с одномерным сканированием и механическим вращением образца.
2.1. Метод измерения
2.2. Измерение интенсивностей отражений на электронограммах от текстур при вращении образца в электронографе ЭР
2.3. Измерение интенсивностей отражений при дифракции электронов от мозаичных монокристаллов
3. Примеры использования системы измерения дифракционных картин от текстур с вращением образца в структурном анализе
3.1. Исследование минералов слюд
3.2. Электронбграфическое исследование смешанных соединений меди (II) с глицином и серином
4. Система измерения с двумерным сканированием дифракционной картины перед неподвижным приемником
4.1. Задачи по разработке новой электронной системы регистрации
4.2. Усовершенствованная система измерения интенсивностей рефлексов дифракции быстрых электронов
4.3. Применение системы с двумерным сканированием к бинарным ионным кристаллам
4.4. Пример применения электронного дифрактометра к исследованию положения атома водорода в брусите
5. Уточнение геометрии дифракционных картин в электронографии
6. О влиянии диффузного фона на точность структурных исследо-

ваний
ГЛАВА II. Метод учета многоволновых эффектов первичной экстинкции в частично ориентированных лоликристаллических тонких пленках.
1 .Введение
1.1 .Двухволновая дифракция в поликристаллах
1.2.Поправки по Бете с помощью «динамических потенциалов»
1.3.Эффекты многоволновой дифракции
1.4.0 роли поглощения в динамическом рассеянии электронов
2. Экспериментальные исследования динамических эффектов в лоликристаллических тонких пленках.
2.1. Дифракция электронов с энергией 350 кэВ в кристаллах
2.2. Экспериментальное исследование динамических эффектов при дифракции электронов в частично ориентированных пленках
3. Разработка методов учета многоволновой дифракции в частично ориентированных лоликристаллических тонких слоях
3.1. Способ расчета «ошибок возбуждения» в общем случае «несистематических» многоволновых взаимодействий при дифракции быстрых электронов
3.2. Учет специфики ориентаций и функций распределения кристалликов при многоволновом расчете интенсивностей отражений в частично ориентированных пленках
4. Изучение процессов многоволнового рассеяния в частично ориентированных поликристаллических образцах
4.1 Текстурированных пленки РЬБе
4.2. Учет многоволновой дифракции быстрых электронов в
мозаичных монокристаллических пленках 1ЛБ
ГЛАВА III. Прецизионная электронография аморфных пленок
1. Методы электронно-дифракционного исследования структуры.
1.1. Введение
1.2.0 методах получения структурной информации о ближнем
порядке
1.3. К вопросу об учете фона при исследовании структуры ближнего порядка в аморфных тонких нленоках ве и веТе
1.4. О возможности структурного определения аморфных веществ сложного состава в экспериментах по дифракции электронов
2. Структурные исследования аморфных пленок с использованием электронной дифрактометрии.
2.1. Аморфный кремний
2.2.Гидрированный аморфный кремний
а) Особенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния
б) О влиянии легирования на свойства а-БГН
в) Зависимость образования моногидридных связей и структурных изменений в а-БГН от термообработки
г) Влияние потенциала смещения на подложке в процессе плазмохимического осаждения на содержание водорода, структурное состояние и некоторые свойства аморфного гидрированного кремния
2.3. Исследование структуры аморфных пленок Бу - Со с магнитной анизотропией
2.4. Изучение атомной структуры пленок сплава А10,8б Мп0л4, полученных импульсной лазерной возгонкой

ти), улучшения параметров системы измерения: повышения чувствительности, расширения линейного диапазона и повышения быстродействия приемника, более стабильной работы осветительной системы. Точность эксперимента в значительной степени зависит и от устойчивости образца, находящегося под длительным воздействием пучка, и качества самой дифракционной картины.
Таким образом , на примере текстурированных пленок РЬБе была отработана методика измерения интенсивностей в электронографе ЭР-100 с применением одномерного сканирования и азимутального поворота образца. Эта методика была использована в ряде структурных определений (см.ниже).
2.3.Измерение интенсивностей отражений при дифракции электронов от мозаичных монокристаллов [52].
До настоящего времени электронограммы на прохождение от мозаичных монокристаллов применяются, главным образом, для определении симметрии и размеров элементарной ячейки и ориентации образцов на подложке. Для целей структурного анализа точечные электронограммы практически не использовались, в основном , по двум причинам: а) отсутствуют четкие критерии учета динамических эффектов, что приводит к неясности в применении формул для перехода от интенсивностей к структурным амплитудам;
б) нет простых и надежных методов измерения интенсивностей отражений.
Как мы уже говорили выше, существуют два подхода к использованию метода дифракции электронов в структурном анализе кристаллов. Первый основан использовании широкого плоскопараллельного пучка быстрых электронов и поликристаллического строения рассеивающего объекта, состоящего из небольших кристалликов, и справедливости применения кинематической или кинематической с поправками на двухволновое рассеяние теории - советская школа электронографии. Второй подход основан на