Разработка методов контролируемого регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в силовых полупроводниковых приборах

• Автор: Чибиркин, Владимир Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.13
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 165 с. : ил.

Некоторые обозначения, принятые в работе
а - коэффициент, зависящий от геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых приборов и режима измерения величины и.
ас - смещение оси пучка электронов от центра мишени, а!, ки - значения величин а и к, для ьтого выпрямительного элемента (в.э.)
Ь, с1 - коэффициенты, определяющие вклад дивакансий и А-центров в изменение т при электронном облучении, соответственно.
О* - коэффициент амбиполярной диффузии.
Е - энергия протонов или электронов, е - элементарный заряд.
Ей - коммутационные потери при включении тиристора.
Гш, fpi - функции заполнения центров электронами и дырками, зависящие от уровня Ферми.
Е[ - толщина тиристорной структуры.
Нп - длина лодочки.
1т - прямой ток для тиристоров.
1г - прямой ток для диодов.
Ггау - максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии для тиристоров.
1рау - максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии для диодов.
1пр - прямой ток.
1магн - ток магнетрона.
1оям - повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии.
1юш - повторяющийся импульсный обратный ток.
1от - отпирающий постоянный ток.
1сн - нормальный ток.

1ст - тангенциальный ток.
1о - величина амплитуды тока.
Ьащ - уставка защиты.
1а - анодный ток тиристора.
) - относительная плотность потока электронов по площади лодочки. кт - коэффициент радиационного повреждения (деградации т). к <5Т- величина коэффициента деградации 0ГГ ытого выпрямительного элемента от времени облучения при заданном режиме.
- коэффициент деградации времени выключения тиристоров, кр! - величина коэффициента деградации заряда обратного восстановления итого в.э. от дозы облучения при заданном режиме облучения. ктФ- величина коэффициента деградации времени выключения итого выпрямительного элемента в зависимости от дозы облучения при локальном облучении ОПР в заданном режиме, к тт>- величина коэффициента деградации времени выключения итого выпрямительного элемента в зависимости от времени облучения при локальном облучении ОПР в заданном режиме.
Ь - диффузионная длина ННЗ. и - характеристическая длина.
1 - ширина лодочки.
1П - глубина повреждений.
по, ро - равновесная концентрация свободных электронов и дырок, соответственно
щ, р1 - концентрация свободных электронов и дырок в случае, если уровень Ферми совпал с уровнем Аи.
Ка - концентрация атомов легирующей смеси.
Кач - концентрация центров рекомбинации Аи.
1Чдв - концентрация дивакансий.
1Чк - концентрация К-центров.
Ка(у) - концентрация акцепторной примеси (у=0 соответствует плоскости металлургического перехода).

N(1 - концентрация донорной примеси.
N0, А, - параметры аппроксимации.
N1 - концентрация ГЦ.
Км - концентрация мелкой примеси.
Цгг - величина заряда обратного восстановления.
Цп з - требуемое значение величины Цп
Цкр - критический заряд включения.
С?1 - требуемое значение величины Цгг.
ДЦ - допустимое значение отклонения заряда обратного восстановления ОТ 01.
Оь Ой - значения величины для ьтого в.э. после и до облучения, соответственно.
Р - мгновенная мощность потерь на тиристоре.
Б ко - площадь катода.
Б - площадь катода тиристора.
г - интервал времени от начала протекания анодного тока, в течении которого измеряется Ей.
1Ч - время выключения.
Ц - время облучения, в течение которого в.э. будет облучен дозой Фь Та - приведенное время облучения ьтого в.э. с учетом плотности потока электронов.
Т, - температура р-п-перехода.
Тиш - минимальное время облучения.
Тгйп - максимальное время облучения.
Ты> - фактическое время облучения.
Тк - время облучения.
Ту - суммарное время облучения в.э.
т1 т1 - величины времени выключения тиристора без подачи отри-яИ’ я01
цательного импульса до и после локального облучения, соответственно.
1обл - время облучения.

-200 -100 0 100 X-11п, мкм
Рис.1.8. Аксиальные распределения концентраций ГУ В2 (1), ВЗ (2), В5 (3).