Методы повышения качества IGBT-преобразователей

• Автор: Добкин, Илья Данилович
• Шифр специальности: 01.04.13
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 166 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ

Введение
Глава Е Входной многоуровневый преобразователь
1.1. Вводные замечания
1.2. Разработка структуры входного преобразователя
1.3. Синтез системы управления преобразователя
1.4. Выводы
Глава 2. Система цифрового управления трехфазным
инвертором на ЮВТ
2.1. Выбор структуры трехфазного преобразователя
2.2. Разработка алгоритмов управления ключами АИН
2.3. Синтез системы управления трехфазного АИН
2.4. Выводы
Глава 3. Моделирование ЮВТ-приборов
3.1. Уровни моделирования и выбор симуляторов
3.2. Модели I уровня и их реализация
3.3. Модели II уровня и их реализация
3.4. Модели III уровня и их реализация
3.5. Выводы
Глава 4. Защита ЮВТ в преобразовательных схемах
4.1. Оценка коммутационных перенапряжений

4.2. Особенности выбора элементов для преобразователей,
построенных по чопперной схеме

4.3. Защита IGBT от короткого замыкания нагрузки
4.4. Вывод
Глава 5. Архитектура системы управления
5.1. Выбор архитектуры аппаратных средств системы управления
5.2. Разработка архитектуры программных средств системы управления
5.3. Вывод
Г лава 6. Экспериментальные данные
6.1. Включение преобразователя
6.2. Включение трехфазного инвертора
6.3. Проверка математической модели системы отработки тока
6.4. Динамические показатели преобразователя
6.4.1. Влияние изменения входного напряжения
6.4.2. Включение асинхронного двигателя
6.4.3. Подключение трансформатора напряжения
6.5. Перегрузочные и аварийные режимы работы
6.5.1. Режим полуторократной перегрузки
6.5.2. Режим трехкратной перегрузки
6.5.3. Режим короткого замыкания в нагрузке
6.6. Работа преобразователя при несинусоидальном входном
напряжении
6.7. Спектральный состав входного тока преобразователя
6.8. Вывод
Заключение

Приложение 1. Модель I уровня IGBT GT25Q101 фирмы TOSHIBA 150 Приложение 2. Модель I уровня IGBT MGP11N60ED фирмы
MOTOROLA
Приложение 3. Модель II уровня IGBT BSM200GA120D
фирмы SIEMENS
Приложение 4. Применение преобразователей
Приложение 5. Список систем автоматизированного
проектирования
Литература

управления будет равно О={11100011}, т.е циклически сдвинутой вправо предыдущей комбинации. Если значение напряжения управления не изменится и на следующем такте, то новый вектор управления сдвинется еще на одну позицию. В случае, если значение напряжения управления изменится в сторону увеличения напряжения противоЭДС, вектор управления примет вид О={11110011} , т е закроется транзистор УТ4, который к данному моменту дольше остальных находился под током. При уменьшении напряжения управления вектор управления станет равным О={11100001} , т е. откроется ЮВТ, который к текущему моменту дольше всех был закрыт. Таким образом, осуществляется способ управления, при котором обеспечивается равномерная загрузка силовых приборов.
Обратимся к эпюрам токов и напряжений в предложенной модели (рис.1.15).
□ о U(ust) [2] д U(-IOB)
Tine
Рис. 1.15. Осциллограммы входного тока и напряжения в модели преобразователя.