Магнитные колебания и волны в ферромагнитных полупроводниках

• Автор: Солин, Николай Иванович
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 344 с.

ВВЕДЕШ®
I. ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
ІЛ. ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС В ЕиО
1.1.1. Состояние эксперимента и проблемы по ФМР в ЕиО
1.1.2. Влияние магнитного упорядочения на СВЧ проводимость ЕиО
IЛ.3 Влияние СВЧ проводимости на ширину линии ФМР ЕиО
1.1.4 Кристаллографическая анизотропия ЕиО
1.2 ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС В Н£рСг?5е4 44 1.2Л. Состояние эксперимента и проблемы по ФМР в
Н§;0ГрЗе4
1.3.2. Влияние центров кубической симметрии на ферромагнитный резонанс в %Сг9Бе4
1.2.3. Влияние примесных центров тригональної! симметрии
на спектр ферромагнитного резонанса НвСгРБе4
2. МАГНИТОСТАТМЧЕСКМЕ ВОЛНЫ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
2.1. Состояние эксперимента и проблемы по МСВ в магнитных полупроводниках
2.2. Методики для исследования спектра МСВ в магнитных полупроводниках
2.3 МАГНИТОСТАТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ В ЕиО 82 2.3Л Спектры объёмных и поверхностных МОВ для пластины
ЕиО в свободном пространстве. Сравнение теории с экспериментом
2.3.2 Затухание и групповая скорость МСВ в ЕиО
2.4. МАГНИТОСТАТИЧЕСКМЕ ВОЛНЫ В НвСг2Зе4
2.4.1 Спектр объёмных и поверхностных МСВ в 8мм диапазоне длин волн для пластины НяСг2Зе4 в свободном пространстве. Сравнение эксперимента с теорией
2.4.2 Спектр объёмных и поверхностных МСВ в слоистой структуре металл- диэлектрик - ферромагнитный полупроводник НвСг2Бе4
2.4.3 Влияние электропроводности на затухание и спектр
МСВ в Нг23е4. Сравнение теории с экспериментом. НО
3. СПИНОВЫЕ ВОЛНЫ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ЕиО И
НвСг2Зе4
3.1 Нелинейные явления при ФМР в ЕиО
3.2 Продольная накачка спиновых волн в ЕиО
3.3 Нелинейные явления при ФМР и распространении МСВ в НвСг2Зе4
3.4 Исследования затухание спиновых волн в Нг2Бе4 методом продольной накачки
4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТБЫЕ СВОЙСТВА МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
4.1 ВЛИЯНИЕ СИЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА СВЧ П0ГЛ0-
НИЕ И ФМР В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ СйСгБе
4.2 ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА СПЕКТР И ЗАТУХАНИЕ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН В НвСг2Зе4
4.2.1. Электропроводность и диэлектрические свойства магнитного полупроводника HgCr2Se4 в сильном сверхвысокочастотном электрическом поле
4.2.2 Магнитосопротивление и эффект Холла магнитного полупроводника Е£0г23е4 в сильных магнитных полях
4.2.3 Электропроводность и постоянная Холла %Сг2Зе4 в сильных электрических полях
4.3 ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ЗАТУХАНИЕ СПИНОВЫХ ВОЛН В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ Н0Сг2Зе4
4.3.1. Влияние электрического поля на затухание спиновых волн в НГрБе, возбужденных методом поперечной накачки
4.3.2 Продольная накачка спиновых волн в В>0г23е4 во внешнем электрическом поле
4.3.3 Магнитоэлектрический механизм взаимодействия спиновых волн с дрейфующими носителями заряда в Н£0г2Бе4. 297 ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Рис.1.5 Частотная зависимость ширины линии ФМР монокристалла ЕиО при малых уровнях СВЧ мощности. Т=4,2 К, сфера 0,39 мм.
Рис.1.6 Влияние полировки на частотную зависимость ширины линии ФМР ЕиО. 1-3- полировка 0,5 мкм, 4- полировка 5 мкм. 1-сфера 6=0,39 мм, 4,2 К; 2- 6=0,39 мм, 20,4 К;
3- 6=0,29 мм, 4,2 К; 4- й=0,30 мм, 4,2 К
Ьо§' ( 0/Л,, сш )