Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Денисов, Юрий Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
208 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями | Соколовский, Григорий Семенович | 2010 |
| К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах | Воробьев, Павел Алексеевич | 1984 |
| Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As | Воловик, Борис Владимирович | 2001 |