Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Денисов, Юрий Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
208 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике | Чугров, Иван Александрович | 2012 |
| Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения | Потапов, Александр Иванович | 1999 |
| Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах | Диденко, Ирина Сергеевна | 2000 |