Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Денисов, Юрий Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
208 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии», автор — Денисов, Юрий Алексеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 1998 году. Объем работы: 208 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000199839. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью | Когновицкая, Елена Андреевна | 2005 |
| Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения | Шайблер, Генрих Эрнстович | 2001 |
| Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs | Стародубцев, Александр Александрович | 2006 |