Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Денисов, Юрий Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
208 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe | Магомедова, Патимат Мустафаевна | 1998 |
| Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика | Бережной, Игорь Геннадьевич | 1999 |
| Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона | Саркисов, Сергей Юрьевич | 2010 |