Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Денисов, Юрий Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
208 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии», автор — Денисов, Юрий Алексеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 1998 году. Объем работы: 208 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000199839. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия | Свиридовский, Лев Савельевич | 1984 |
| Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза | Подгорный, Дмитрий Андреевич | 1999 |
| Матричный метод расчета магнитных характеристик иона кобальта | Гончаров, Евгений Олегович | 2013 |