Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x

• Автор: Исабекова, Тамила Илахидиновна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 140 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ
ЕШирокозонные твердые растворы: получение и свойства
1.1 Твердые растворы соединений А3В5
1.2. Твердые растворы на основе карбида кремния
1.3. Основные методы получения карбида кремния и твердых растворов на его основе
Выводы
2. Процессы роста и структура эпитаксиальных слоев
твердых растворов (81С)1_Х(А11Ч)Х
2.1. Влияние параметров роста на состав и структуру эпитаксиальных слоев
2.2. Исследование структуры эпитаксиальных слоев
(81 С) 1 _х(А1М)х методом фигур травления
2.3. Изучение структуры молекул эпитаксиальных слоев (51С)1-Х(АШ)Х методом электронно-парамагнитного резонанса
Выводы
3. Электрофизические свойства твердых растворов
(81СЫА11Ч)Х
3.1. Получение и исследование омических контактов
3.2. Исследование стабильности омических контактов
3.3. Температурная и концентрационная зависимости электропроводности
3.4. Влияние сильных электрических полей на электропроводность карбида кремния и твердых растворов (81С)1_Х(АШ)Х
3.5. Характеристики ударной ионизации твердых растворов фСЫАШ)

Выводы

4. Люминесцентные и электрические свойства
гетероструктур 8К7(81С)1-Х(А11)Х
4.1. Фотолюминесценция
4.2. Спектральные сдвиги полос фотолюминесценции, обусловленные лазерным отжигом
4.3. Электрофизические процессы в гетероструктурах
4.4. Электролюминесценция
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ.
Актуальность темы.
Развитие электронной техники диктует необходимость расширения круга материалов, применяемых для создания микроэлектронных приборов и устройств. Это вызвано стремлением к расширению областей применения этих приборов, возрастанием требований к их надежности, стабильности параметров и устойчивости к внешним неблагоприятным воздействиям. Одним из путей решения этой проблемы является создание гомовалентных и гетеровалентных твердых растворов на основе уже известных полупроводников. Подбирая соединения и их относительное содержание в твердых растворах, можно создать материалы с заранее заданными свойствами.
Одним из перспективных материалов для создания гетеровалентных твердых растворов, работающих в экстремальных условиях, является карбид кремния SiC. Это связано, в первую очередь, с высокой химической, механической, тепловой и радиационной стойкостью этого полупроводникового материала.
Наибольший интерес в качестве второго компонента для создания твердых растворов на основе карбида кремния представляют нитриды металлов III группы периодической системы Д.И.Менделеева. Этот интерес обусловлен высокой вероятностью образования твердых растворов в этих системах, особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN. Кроме того, минимумы зоны проводимости в BN, A1N, и GaN находятся в центре зоны Бриллюэна, что позволяет прогнозировать существование твердых растворов SiC с указанными нитридами с подобной же структурой зон. Это должно привести к возрастанию эффективности излуча-тельной рекомбинации, что позволит создавать на основе таких соединений твердых растворов светодиоды и инжекционные лазеры.

Расстояние между полочками были одинаковые. Выращивание проводилось на монокристаллических подложках БЮ из поликристаллического источника БЮ, спеченного в виде одинаковых таблеток. После проведения процесса роста измерялись толщины выращенных эпитаксиальных слоев, а по толщине и времени роста определяли скорости роста. На рис.2.3 представлена зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев от расстояния х по оси тигля.
х, м
Рис.2.4. Распределение температурного поля вдоль оси нагреват еля
За начало отсчета принята точка на крышке контейнера. Точка пересечения кривой с осью х соответствует области с нулевым градиентом температуры. На основе полученной экспериментальной зависимости проводился анализ процесса тепломассопереноса при газофазной эпитаксии, откуда были получены кривые распределения температуры вдоль оси нагревателя и градиента температуры (рис. 2.4., 2.5.). Измерив температуру в одной точке на поверхности контейнера, и зная характер распределения температуры и величину градиента, можно определить температуру в любой области в зоне роста.