Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Автор:
Рябцев, Станислав Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
105 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптическая динамика прямых и непрямых экситонов в полупроводниковых гетероструктурах | Михайлов, Андрей Валерьевич | 2016 |
| Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5 | Калинина, Карина Вадимовна | 2012 |
| Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников | Аньчков, Денис Геннадьевич | 2010 |