Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Автор:
Рябцев, Станислав Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
105 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах», автор — Рябцев, Станислав Викторович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Воронеж в 2000 году. Объем работы: 105 с.. Внутренний код товара: 01000310251. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015) | Матиева, Тоита Ахметовна | 2008 |
| Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона | Казарян, Ваган Артаваздович | 2004 |
| Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений | Заварин, Евгений Евгеньевич | 2008 |