Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Автор:
Рябцев, Станислав Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
105 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников | Каданцев, Алексей Васильевич | 2006 |
| Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда | Сошников, Александр Игоревич | 2011 |
| Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда | Фирсов, Дмитрий Анатольевич | 2000 |