Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)

• Автор: Розов, Александр Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 124 с. : ил.

Оглавление
Введение
Глава I. Обзор литературы.
1.1. Электронные свойства бинарных соединений СаБЬ и ЫАэ.
1.1.1 СаЯЬ
1.1.2 ЬтАд
1.2. Многокомпонентные твердые растворы в системе ОаБМпАз
1.2.1 Получение
1.2.2 Энергетическая структура
1.2.3 Электрофизические свойства
1.3. Гетеропереходы
1.3.1 Модели и подходы к расчету энергетических диаграмм
1.3.2 Получение и магнитотранспортные свойства гетеропереходов
I и II типа
1.3.3 Гетеропереходы Оа1пАз8Ь/Оа8Ь и ОаЫАзБЬ/ГпАя
1.4. Выводы
Глава II. Методика эксперимента.
2.1 Выбор образцов для исследования и технология выращивания гетероструктур
2.2 Подготовка к измерениям
Глава III Магнитотранспорт в гетероструктурах II типа р-Са1_х1пхА8у8Ь1_у/р-1пА8 с различным составом твердого раствора.
3.1 Методика
3.2 Экспериментальные результаты. Слабые магнитные поля (до 2Т)
3.2.1. Подвижность носителей тока
3.2.2. Магнитосопротивление
3.3 Квантовый магнитотранспорт в полуметаллическом канале на гетерогранице II типа р-Са] _х1пхА8у8Ь 1 _у/р-1п Аь
3.4. Сопоставление экспериментальных результатов с зонной диаграммой гетероперехода
3.5. Выводы
Глава IV Исследование магнитотранспорта на гетерогранице р-Са1пА8,8Ь/р-1пА8 в зависимости от легирования твердого раствора.
4.1. Экспериментальные результаты
4.2. Оценка параметров твердого раствора и электронного канала
4.3. Сопоставление экспериментальных результатов с зонной энергетической диаграммой гетероперехода
4.4. Выводы
Глава V. Гетеропереходы СаьЭпхАяувЬу/СавЬ (х>0.80). Магнитотранспортные свойства.
5.1.Методика

5.2. Оценка зонной энергетической диаграммы гетероперехода Gai.xInxAsySbi.y/GaSb (0.88<т<0.95)
5.3. Экспериментальные результаты.
5.3.1. Гетероструктуры GalnAsSb/GaSb с нелегированными слоями твердых растворов (n-N, п-Р)
5.3.2. Гетероструктуры GalnAsSb/GaSb с легированными слоями твердых растворов (переходы p-N, р-Р)
5.4. Влияние типа связи на гетерогранице на магнитотранспортные свойства гетероструктур
5.5. Выводы
Общее заключение к работе
Список цитируемой литературы

по фотолюминесценции для ОахЬц.хАзБЬ/ОаЗЬ с различным содержанием вг [31,104].
Наибольшее внимание в литературе уделялось выращиванию слоев твердого раствора ОаГпАвБЬ на подложке ОаБЬ [24]. Установлено, что твердые растворы СаНщ.хАзЗЬ/ОаБЬ могут образовывать с такими подложками гетеропереходы второго рода, причем как ступенчатые - в области составов х<0.23, [104, 44, 23], так и разъединенные при х>0.79 [105, 7]. Были изучены гетеропереходы ОаЪтАзБЬ/СаБЬ во всем интервале существования твердого раствора, и построены зонные диаграммы таких гетероструктур [43, 7]. В работе [43] были исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов с узкозонным твердым раствором ОаГпАзБЬ, выращенным на подложке ОаБЬ и установлена зонная энергетическая диаграмма таких структур. Было обнаружено омическое поведение вольт-амперных характеристик гетеропереходов п-ОаЪпАяЗЬ/р-ОаБЬ в широком диапазоне температур и установлен разъединенный характер зонной энергетической диаграммы таких гетероструктур.
Гетеропереходам с твердым раствором GaxIni.xAsi.ySby, выращенным на подложке ЬгАя уделялось значительно меньше внимания [39, 105]. В работе [106] при исследовании разъединенных гетероструктур II типа Gao.83Ino.17Aso.22Sbo.78/p-InAs с нелегированным и слаболегированным Те твердым раствором впервые было установлено существование на гетерогранице полуметаллического канала с высокой подвижностью электронов (до 60000см2/В'с, Т=4.2-200К, что значительно выше, чем известные значения в объемном 1пАз [23]) (рис.6, а). В работе [12] впервые обнаружено явление интенсивной электролюминесценции, обусловленной оптической туннельной рекомбинацией электронов и дырок, локализованных в квантовых ямах по обе стороны гетерограницы GaxIni.xAsi.ySby/InAs (рис.6, б)