Энергетический спектр, транспортные свойства и локализация носителей тока в соединениях внедрения в графит акцепторного типа

• Автор: Лапин, Сергей Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.09
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 122 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ
СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
I. Структура, физические свойства, методы получения
соединений внедрения в графит акцепторного типа и
графитовой фольги
1.1. Кристаллическая структура графита
1.2. Структура бисульфата графита
1.3. Основные закономерности внедрения серной кислоты в графит
1.4. Структуры моно- и гетероинтеркалированных соединений внедрения в графит
1.5. Энергетический спектр носителей тока в графите и СВГ
1.6. Электрофизические свойства моно- и гетеро-СВГ. Фазовые переходы
1.7. Энергетический спектр моно- и гетероинтеркалированных соединений внедрения в графит
1.8. Квантовые поправки к проводимости в углеродных материалах
1.9. Исследования эффекта Холла в монокристаллах и высокоориентированном графите
II. Методика синтеза образцов соединений внедрения в графит,
графитовой фольги и экспериментальные установки
11.1. Исходные вещества и синтез образцов
11.2. Измерение электропроводности in situ
11.3. Наблюдение процесса внедрения H2S04 в графит in situ методом рентгенофазового анализа

11.4. Низкотемпературная установка для измерения осцилляционных явлений
11.5. Ошибки измерений
III. Квантовые осцилляционные эффекты в гетеро-СВГ Ci2FeCl3(ICI)o
111.1. Распределение плотности заряда в гетеро-СВГ
С _FeCI: (ICI) s вдоль оси С
111.2. Эффект Шубникова де Гааза для СВГ C16ICI, C12FeCI3 и Ci2FeCI3(ICI)0
111.3. Энергетический спектр C12FeCI3(ICI)075
111.4. Фазовые переходы
IV. Исследование кинетики реакции внедрения серной кислоты в
графит in situ
IV. 1. Исследование процесса внедрения H2S04 в графит методом
РФА in situ
IV.2. Исследование процесса внедрения H2S04 в графит методом измерения электропроводности in situ
V. Гальваномагнитные свойства бисульфата графита низких ступеней при низких температурах
V.1. Квантовые осцилляционные эффекты в бисульфате графита низких ступеней
V.2. Суперметаллическая проводимость и фазовые переходы в CBi-H SO:
VI. Исследование электрофизических свойств низкоплотных углеродных материалов получаемых на основе бисульфата графита при низких температурах
VI.1. Изменение гальваномагнитных свойств низкоплотных углеродных материалов в зависимости от давления прессования

VI.2. Отрицательное магнетосопротивление у образцов
переокисленного бисульфата графита с разной степенью
переокисления
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

(к) = |-ї, +Д-[(у,-Д)2+9у5Ь;к
(1.25)
ЕсДк
(Е) = {-У, +Д+[(у, -А)2 +9у;Ь“к
(1.26)
(к) = |у, +Д + [(У, +Д)2 +9у;Ьк
(1.27)
Параметр отвечает за вертикальное перекрытие между валентной зоной и зоной проводимости, в случае соединений внедрения в графит второй ступени его роль незначительна и можно в уравнениях (1.24+1.27) положить его равным нулю. После этого получаем:
Зонная структура СВГ второй ступени представлена на рисунке 8. Для соединений внедрения в графит третьей ступени слои графита не являются больше эквивалентными по отношению к интеркаляту, и в расчетах появляется параметр 8, характеризующий различие в потенциальной энергии атомов углерода внешних и внутренних слоев. Для соединений внедрения в графит третьей ступени энергетический спектр состоит из шести ветвей:
(1.28)
(1.29)
ЕГ = 5±|х|
(1.30)
(1.31)
(1.32)