Кинетика двумерного дырочного газа на гетерогранице p-GaAs/(Al)GaAs при одноосном сжатии

• Автор: Кравченко, Василий Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.09
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 197 с.

Содержание.
Введение
Глава 1. Гетероструктуры на основе ОаАз/(А1)ОаА8
1.1. Схема образования квантовой ямы на гетерогранице рДАДСаАв/СаАв
1.2. Энергетический спектр двумерного дырочного газа в р-ОаАз/АІозОаоАз
1.3. Низкотемпературные транспортные свойства 20 носителей в одиночных гетероструктурах ОаАз/АЮаАз
1.4. Магнитотранспортные свойства 20 дырок на гетерогранице СаА8/(А1)ваА8
1.5. Влияние одноосного напряжения на свойства 20 дырочного газа в гетероструктурах р-СаАзЛАГЮаАБ
1.6. Дефекты и глубокие уровни в гетероструктурах ОаАБ/АЮаАз, выращенных методом Молекулярно-Лучевой Эпитаксии
ГбЛ.ОХ-центры
1.6.2.ЕЬ2-дефект ы
1.6.3.Линейные дефекты (дислокации)
1.6.3.1.Дислокации в материалах типа АщВу
1.6.3.2.Энергетический спектр электронных состояний в ядре дислокации в
ваАв
1.6.3.3.Дислокации несоответствия в гетероструктурах СаА8/(А1)С1аА8
Глава 2. Методика эксперимента
2.1. Исследуемые образцы
2.2. Определение ориентации образцов

2.3. Создание анизотропной деформации
2.4. Определение компонент тензора деформаций в образце
2.5. Квантовые осцилляции магнитосопротивления
2.6. Измерения магнитотранспортных свойств
2.7. Температурные измерения
2.7. Воздействие оптическим излучением
Глава 3. Долговременные релаксации пьезосопротивления двумерного дырочного газа в гетероструктурах СаАз/АГСао.Аз
3.1. Релаксации пьезосопротивления
3.1.1.Эффект памяти о предыдущих возмущениях системы
3.1.2.3ависимость амплитуды релаксаций от величины давления
3.1.3.Зависимость релаксаций пьезосопротивления от температуры
3.1.4.Внешние факторы, приводящие к гашению релаксаций
3.1.5.Различный характер релаксаций пьезосопротивления для направлений сжатия [110] и [110]
3.1.6.Поведение полной концентрации и подвижности 20 дырок в процессе релаксаций пьезосопротивления
3.1.7. «Переключение» знака релаксаций длительным освещением
3.2. Обсуждение результатов
3.2.1.Возможные источники изменения концентрации двумерных дырок в ходе релаксаций пьезосопротивления
3.2.2. Компенсация пьезоэлектрического поля
3.2.3. Перезарядка оборванных связей в ядрах дислокаций несоответствия
3.2.4.Поведение подвижности двумерных дырок в ходе релаксаций пьезосопротивления

Глава 4. Влияние одноосного сжатия на транспортные свойства двумерных дырок в гетероструктурах p-Alo.5Gao.5As/GaAs
4.1. Транспортные и магнитотранспортные свойства двумерных дырок при одноосном сжатии
4.2. Вклад дырочно-дырочного рассеяния в электрическое сопротивление
4.3. Расчет параметров модели из экспериментальных данных
4.4. Отрицательное магнитосопротивление
4.5. Вклад других механизмов рассеяния в температурную зависимость сопротивления. Температурно зависимые парциальные подвижности. Режим Блоха-Грюнайзена
4.6. Дырочно-дырочное рассеяние и его поведение при одноосном сжатии
4.7. Поведение парциальных подвижностей под давлением
5. Основные выводы и результаты
6. Список литературы

60°-дислокации могут формировать чисто краевые дислокации [56] через реакцию типа:
—[110]+—[ОТ 1] -» —[101] (1.20)

(ось взаимодействующих дислокаций лежит вдоль [101]) так, что плоскостью скольжения получившейся дислокации становится (010). Такие краевые дислокации еще называют дислокациями Ломера. Поскольку их плоскость скольжения не принадлежит семейству {111}, краевые дислокации менее подвижны и перемещаются скорее «подъемом», чем скольжением [54, 55].
В кристаллах АщВу атомы Ш-й и У-й групп образуют чередующиеся плоскости {111}. Поскольку линии дислокаций принадлежат этим плоскостям, ядро дислокации, являющееся окончанием «дополнительной» полуплоскости, формируется из атомов либо У-й группы (а-дислокации), либо из атомов Ш-й группы ((3-дислокации) [61]. При этом, как отмечено авторами работы [62], отсутствие инверсионной симметрии в решетке типа цинковой обманки приводит к тому, что ядра дислокаций с параллельными осями но противоположными векторами Бюргерса должны быть разного типа, то есть одна - а-дислокацией, а другая (3-дислокацией.
Отличающиеся физические, электрические и химические свойства а- и (3-дислокаций были предсказаны еще Р.Наазеп в 1957 году [60] и наблюдены позже многими авторами [57, 58, 61-63]. Так, например, в [61, 62] отмечены различающиеся подвижности а- и [3-дислокаций, которые, к тому же, еще зависят от типа и степени легирования материала. Травление поверхностей и декорирование примесей в ядре