Исследование фотоэлектрических и кинетических характеристик модифицированных сплавов халькогенидов свинца

• Автор: Богоявленский, Владислав Александрович
• Шифр специальности: 01.04.09
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 135 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЗОННАЯ СТРУКТУРА, ПРИМЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОДИФИЦИРОВАННЫХ СПЛАВОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА
1.1 Кристаллическая и зонная структура полупроводников А4В6
1.2 Особенности глубоких примесных состояний в сплавах А4В6
1.3 Создание фотоприемных устройств на основе материалов А4В6
ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗЦЫ
2.1 Методики синтеза и структурный анализ образцов
2Л.1 Получение эпитаксиальных.пленок
РЬТе(Оа) и РЬ[.х.у8пхОеуТе(1п) методом «горячей стенки»
2.1.2 Синтез монокристаллов РЬТе(Оа)
методом -пар-жидкость-кристалл»
2.1.3 Исследование структурных параметров образцов
2.2 Устройство низкотемпературной камеры и монтаж образцов
2.3 Описание и блок-схемы экспериментальных установок
2.4 Оценка ошибок измерений
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК
ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА, ЛЕГИРОВАННОГО ГАЛЛИЕМ
3.1 Свойства образцов пленок п-РЬТе(Са) в диэлектрическом состоянии 53 ЗЛ.ЬСпектры фотопроводимости и температурные зависимости
удельного сопротивления при экранировании и ИК-подсветке
3.1.2 Кинетика переходных процессов при релаксации

3.1.3 Определение параметров неравновесных носителей заряда
3.1.4 Обсуждение кинетических зависимостей фотопроводимости
3.2 Свойства образцов пленок п-РЬТе(Са) в металлическом состоянии
3.2.1 Температурные зависимости удельного сопротивления образцов
с эффектом отрицательной фотопроводимости
3.2.2 Кинетика релаксации отрицательной фотопроводимости
3.2.3 Теория отрицательной фотопроводимости: Модель примесного уровня двухвалентного атома Са11 на фоне разрешенных состояний
ГЛАВА IV. ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ МЕТАСТАБИЛЬНЫМИ ПРИМЕСНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ ИНДИЯ, В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ ТЕЛЛУРИДОВ СВИН11Л ОЛОВА-ГЕРМАНИЯ
4.1 Температурные зависимости удельного сопротивления
4.2 Переходные процессы при ИК-подсветке, явление низкотемпературной неустойчивости (бистабильности) фотоотклика образцов
4.3 Кинетические явления, обусловленные метастабильными примесными состояниями: Пики термостимулированных токов
ГЛАВА V. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И ВОЛЬТ-
АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАРЬЕРА ШОТТКИ
НА КОНТАКТЕ ИНДИЙ - ТЕЛЛУРИД СВИНЦА
5.1 Температурные зависимости сопротивления омического
(Р1—[р-РЬТе(Оа)]) и неомического (1п— [р-РЬТе(Оа)]) контактов
5.2 Вольт-амперные характеристики контакта 1п—[р-РЬТе(Са)]
при экранировании и ИК-подсветке
5.3 Теория неомического контакта 1п—[р-РЬТе(Са)]
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
АЦП - автоматизированная цифровая плата
ВАХ - вольт-амперная характеристика
ГЦК - гранецентрированная кубическая (решетка)
ДРП - долговременные релаксационные процессы
И К -> инфракрасный
МГС - метод «горячей стенки»
МСХС - модифицированные сплавы халькогеницов свинца
ПЖК - пар-жидкость-кристалл
СВЧ - сверхвысокие частоты
ТСТ - термостимулированный ток
УФ - уровень Ферми
ФП - фотопроводимость
ФПУ - фотоприемное устройство
ЭВМ - электронно-вычислительная машина
ЭУ - экспериментальная установка
ЯТЦ - ян-теллеровский центр

РЬТе(Са) СОа=0.15-0.75% диэлектрик, пиннинг УФ б запрещенной зоне, Ес - ЕСа=70 мэВ задержанная ФП (Тс=80 К) [40 - 43, 85 - 87, 117 - 127]
РЬ1_х5пхТе(Са) х<0.04 0.04<х<0.2 х>0.2 диэлектрик задержанная ФП (Тс~80 К) полуметалл п-типа полуметалл р-типа изменяющееся состояние примеси под действием давления [85, 130 -132]
РЬ,_хМпхТе(Оа) х<0.2 диэлектрик, расширение области пиннинга УФ до ССа< 1% задержанная ФП (Тс=80 К) [87, 128, 129]
РЬ[.хСехТе(Са) х<0.3 диэлектрик, фазовый переход задержанная ФП (Тс=80 К) аномальная кинетика релаксации [87, 133 -140]
РЬЬхСехТе(УЬ) Суь=0.5-1% 0.01 <х<0.3 х<0.01 диэлектрик, фазовый переход задержанная ФП (Тс«40 К) переход диэлектрик-металл под давлением полуметалл р-типа [54, 141 -146]