Явления порядка-беспорядка в сегнетоэлектрических твердых растворах со структурой перовскита

• Автор: Кофанова, Наталья Борисовна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Ростов-на-Дону
• Количество страниц: 120 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Проблемы формирования структуры и физических свойств сегнетоэлектрических твердых растворов
1.1.Влияние условий приготовления на физические свойства сегнетоэлектрических твердых растворов
1.2. Спекание керамики
1.3. Явления порядка-беспорядка в твердых растворах
1.4. Фазовые переходы
1.5. Выводы главы
Глава И. Объекты исследований, методы приготовления
2.1. Твердофазный синтез, комбинированные методы
синтеза
2.2. Активация и кинетика твердофазного синтеза
2.3. Синтез твердых растворов с использованием вибрационного перемешивания
2.4. Выводы главы
Глава III. Порядок-беспорядок в бинарных твердых растворах
3.1. Параметры ближнего порядка в бинарных твердых растворах
3.2. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей в упорядочивающихся бинарных системах
3.3. Параметры ближнего порядка системы ЦТС
3.4. Выводы главы
Глава IV. Температурные фазовые переходы в твердых растворах
системы ЦТС
4.1. Причины размытия фазовых переходов
4.2. Задачи изучения фазовых переходов
в сегнетоэлектрических твердых растворах
4.3. Фазовые переходы в составах ЦТС и ближний порядок
4.4. Выводы главы
Заключение
Литература

Введение
Актуальность темы
Сегнетоэлектрические материалы на основе системы твердых растворов Р1Г1_хТДОз (ЦТС) более 40 лет являются предметом интенсивных исследований и широко применяются при создании различных устройств пьезотехники, электрооптики и многих других областей физического приборостроения. Ряд уникальных физических свойств сегнетоэлектри-ческих материалов на основе системы ЦТС, найденных в последние годы экспериментальными исследованиями (например, холодная электронная эмиссия при воздействии электрического поля), показывают перспективность дальнейшего детального изучения особенностей структуры и физических свойств составов данной системы.
Обычно главное внимание уделяется составам, относящимся к мор-фотропным областям (ОМП) — областям сосуществования сегнетоэлек-трических фаз разной симметрии, в связи с экстремальными значениями физических свойств в этих объектах. Вместе с тем, закономерности изменений физических свойств сегнетоэлектрических твердых растворов вне ОМП в зависимости от концентрации компонентов изучены сравнительно слабо. Такие твердые растворы обычно представляются идеально неупорядоченными. При этом часть важнейших проблем остается неразрешенной. В частности, для наиболее изученной системы твердых растворов РЬ2г1_хТЦОз (ЦТС) до настоящего времени следующие вопросы не имеют окончательного решения:
— каковы причины появления областей с устойчивыми ромбоэдрическими фазами (0.07 < х < 0.48)?
— каковы причины формирования низкотемпературной сегнето-электрической фазы (Юс) с максимальной устойчивостью при 0.10 <

мытия ФП сегнетоэлектриков со структурой перовскита АВ'В"Оз основной акцент делается на взаимном расположении атомов В' и В" в кристаллической решетке. При этом, по мнению авторов [55], возможность упорядочения существует лишь у ионов разной валентности, например 1п3+ и №>5+ в индониобате свинца PbIno.5Nbo.5O3.
Для сегнетоэлектриков с РФП характерны более сглаженная зависимость диэлектрической проницаемости е от температуры Т, чем у «обычных» сегнетоэлектриков [56].
В диссертации Константинова Г. М. [57] проведено изучение зависимости параметров размытия ФП 8, АТ, Ас от температуры спекания образцов материала ЦТС-83Г. Данные приведены на рис. 1.9.
Было показано, что уменьшению размытия фазовых переходов при повышении температуры спекания керамики соответствует уменьшение полуширин дифракционных отражений от семейства плоскостей типа {/г.00}, рис. 1.10.
Таким образом, степени размытия ФП в сегнетоматериалах на основе ЦТС коррелируют с величинами размеров ОКР и величинами внутри-кристаллитных микродеформаций, что приводит к взаимосвязи между степенями размытия ФП и технологическими условиями приготовления материалов типа ЦТС, и с возможными эффектами ближнего порядка.
1.5 Выводы главы
Анализ литературных данных по сегнетоэлектрическим твердым растворам показывает, что
— в бинарных системах растворов (например, типа А(В/1_а.В"Оз) имеются явно выраженные аномалии в концентрационных зависимостях физических свойств при х = 0.125; 0.333; 0.5; 0.67; то есть составам с вероятным упорядочением атомов разного сорта в одной подрешетке;