Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниках: карбиде кремния и нитриде галлия
- Автор:
Ильин, Иван Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
98 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Внедрение примесных атомов в наноразмерные полупроводники ZnO, AlN, InN : рентгеноспектральная диагностика и компьютерное моделирование | Гуда, Александр Александрович | 2012 |
| Расчеты упругих полей дислокационных петель и кристонов с целью идентификации центров зарождения мартенсита | Джемилев Керим Нильсович | 2016 |
| Структурный механизм эффекта памяти форм | Петрова, Нина Николаевна | 1984 |