Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниках: карбиде кремния и нитриде галлия
- Автор:
Ильин, Иван Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
98 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Неравновесные ансамбли дислокаций в границах зерен и их роль в свойствах поликристаллов | Назаров, Айрат Ахметович | 1998 |
| Компьютерное моделирование процесса поперечного скольжения дислокаций при различных режимах нагружения кристаллов | Подсобляев, Денис Станиславович | 1999 |
| Люминесценция, дефекты и рекомбинационные процессы в кристаллах боратов лития | Порывай, Никита Евгеньевич | 2009 |