Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Афанасьев, Александр Диомидович
01.04.07
Докторская
1998
Иркутск
184 с.
Стоимость:
499 руб.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ГЛАВА 1. ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 2. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
2.1. Инфракрасная спектроскопия
2.2. Ангармоничность колебаний
2.2.1. Ангармонический осциллятор
2.2.2. Электрооптическая ангармоничность
2.3. Интегральный коэффициент поглощения
2.4. Интенсивность колебательного перехода
2.5. Метод изотопного замещения
ГЛАВА 3. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
3.1. Спектрометры
3.2. Образцы
ГЛАВА 4. ИЗОЛИРОВАННЫЕ ДВУХАТОМНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
4.1. Введение
4.2. Инфракрасные спектры двухатомных примесных дефектов
4.2.1. Ион гидрокеша (ОН')
4.2.1.1. Фториды щелочных металлов
4.2.1.2. Хлориды щелочных металлов
4.2.1.3. Бромиды щелочных металлов
4.2.1.4. Иодиды щелочных металлов
4.2.2. Ион сероводорода (БН ')
4.2.3. Ион селен водорода (8еН')
4.2.4. Сдвиг частот собственных колебаний двухатомных
ионов в ЩГК
4.3. Выводы
ГЛАВА 5. МЕХАНИЧЕСКАЯ АНГАРМОНИЧНОСТЬ
5.1. Гармонические частоты и параметры ангармоничности
5.2. Отношения гармонических частот
5.3. Выводы
ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКАЯ АНГАРМОНИЧНОСТЬ
6.1. Экспериментальные результаты
6.2. Функция дипольного момента
6.3. Модель наведенного дипольного момента
6.4. Выводы
ГЛАВА 7. РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ
ПРИМЕСНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК
7.1. Введение
7.2. Метод расчета
7.3. КСьЮН
7.4. Выводы
ГЛАВА 8. АГРЕГАТНЫЕ МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ДЕФЕКТЫ.
ИОНЫ ГИДРОКСИЛА
8.1. Введение
8.2. Экспериментальные результаты
8.2.1. Интерпретация ИК-спектров
8.2.2. Концентрационные зависимости
8.2.3. Термическое преобразование агрегатных центров
8.2.4. Ангармоничность парных центров
8.2.5. Смешанные (ОН - ОВ ~) парные дефекты
ф 8.3. Интерпретация
8.4. Выводы
ГЛАВА 9. АГРЕГАТНЫЕ ЦЕНТРЫ С РЕЗОНАНСНЫМ
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ
9.1. Введение
9.2. Парные дефекты БеН
9.2.1. Модель парного дефекта с резонансным взаимодействием
9.2.1.1. Основной тон
9.2.1.2. Обертон
9.2.2. Произвольная ориентация, основной тон
9.2.3. Обсуждение
9.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ
БЛАГОДАРНОСТЬ
ГЛАВА 4. ИЗОЛИРОВАННЫЕ ДВУХАТОМНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
4.1. Введение
В настоящей главе рассмотрим свойства изолированных примесных двухатомных ионов ОН", БН" и ЭеН'. Аналогично понятию свободных молекул, т.е. невзаимодействующих между собой молекул (как например в случае разряженных газов), изолированными молекулами будем называть молекулы, которые находятся в кристаллической решетке, и не взаимодействуют между собой или с другими примесными дефектами. Изолированными можем считать ионы в кристаллах с малой концентрацией примесных дефектов, расстояние между которыми велико и взаимодействием между ними можно пренебречь. В наших экспериментах обычно использовались образцы с низкой концентрацией дефектов. Хотя, здесь следует заметить, что небольшая концентрация примесных ионов в кристалле еще не гарантирует их изолированности. Возможна ситуация, когда сильное взаимодействие между примесными дефектами приводит к образованию комплексов. Чтобы избежать таких ситуаций, для ряда кристаллов были проведены дополнительные исследования, которые позволили надежно контролировать эффекты, связанные с взаимодействиями дефектов между собой или с посторонними примесями.
В отличие от свободных молекул в газе, колебательный спектр которых может изменяться за счет взаимодействия при столкновениях [55, 56, 57, 58, 59, 60], примесные ионы в кристалле находятся в поле кристаллической решетки или, иначе говоря, матрицы. При этом физические свойства примесной молекулы изменяются в соответствии с кристаллическим окружением. Подобные изменения можно наблюдать и при вариации
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Влияние рентгеновского излучения на оптические и фоторефрактивные свойства некоторых сегнетоэлектрических ниобатов | Шрамченко, С.А. | 1985 |
Влияние легирования на развитие газовой пористости в ГЦК и ОЦК модельных сплавах и сталях при ионном облучении | Бинюкова, Светлана Юрьевна | 2002 |
Механизмы разрушения и залечивания трещин в дефектных проводниках с током, обусловленные воздействием электромагнитного поля | Лановая, Анна Владимировна | 2009 |