Полевые полупроводниковые гетероструктуры с распределенными параметрами и зарядовой связью по обогащенному слою
- Автор:
Антюшин, Виктор Федорович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
215 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические и электрооптические исследования последовательных фазовых переходов в кристалах типа ABCl3 и A2BCl4 | Мельникова, Светлана Владимировна | 1984 |
| Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge, Sn) - As2, облученных протонами | Ведерникова, Татьяна Владимировна | 2008 |
| Модификация свойств приповерхностных слоев стабилизированного диоксида циркония при ионном облучении | Новиков, Владислав Антонович | 1998 |