Ионно-лучевой синтез тонких пленок в неметаллах

• Автор: Петухов, Владимир Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 311 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЭФФЕКТЫ, ВОЗНИКАЮЩИЕ ПРИ ВЫСОКОДОЗНОЙ
И ВЫСОКО ИНТЕНСИВНОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
1.1. Нагрев образца при квазинепрерывной ионной
имплантации
1.1.1. Расчет температурных полей в образце при сканирующей ионной имплантации
1.1.2. Компьютерное моделирование тепловых полей
1.2. Аномально высокое радиационное распухание (свеллинг)
1.2.1. Модель вакансионного радиационно-стимулированного распухания
1.2.2. Экспериментальные зависимости вакансионного распухания от режимов и условий имплантации
для различных исходных матриц
1.3. Изменение микрорельефа и оптических свойств.
Эффект почернения
1.3.1. Трансформация микрорельефа поверхности в процессе ионной имплантации
1.3.2. Изменение коэффициента отражения полупроводников, имплантированных ионами с большой дозой
Выводы по Главе I
ГЛАВА П. ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ:
ФОРМИРОВАНИЕ СИЛИЦИДОВ 31) - МЕТАЛЛОВ В
КРЕМНИИ
2.1. Структура и фазовый состав ионносинтезированных
силицидов в кремнии
2.1.1. Дозовая зависимость фазового состава. Минимальная доза начала ионного синтеза
2.1.2. Влияние плотности потока ионов и температуры образца на фазовый состав ионносинтезированных силицидов
2.1.3. Фазовый состав мезотаксиальных слоев силицидов
2.1.4. Влияние постимплантационных обработок
A. Термический отжиг
Б. Лазерная обработка
B. Быстрый термический отжиг
2.2. Ионный синтез при одновременной имплантации
2.2.1. Синтез сложных силицидов
2.2.2. Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Бе и Со в кремний
2.3. Ионно-лучевой синтез тонких ферромагнитных пленок в кремнии
2.3.1. Изменение магнитных свойств кремния при имплантации Зб-элементов с малыми дозами
2.3.2. Образование ферромагнитного слоя при имплантации
ионов Бе+ в
Особенности ФМР в тонких пленках
1. Одноосная анизотропия
2. Одноосная анизотропия в плоскости пленки
3. Магнитокристаллическая анизотропия
A. Поликристалл. Модель независимых зерен . 149 Б. Гранулярная тонкая магнитная пленка Модель диполь-дипольно взаимодействующих сферических частиц
B. Гранулярная тонкая магнитная пленка. Несферические частицы
2.3.3. Зависимость магнитных свойств от режимов имплантации
2.3.4. Структура тонких ферромагнитных пленок Суперпарамагнетизм ионносинтезированных тонкой ферромагнитной пленки

2.3.4.1. Суперпарамагнитное поведение тонкой гранулярной ферромагнитной пленки
2.3.4.2. Размер и форма суперпарамагнитных частиц .167 Выводы по Главе П
ГЛАВА III. ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ В ДИЭЛЕКТРИКАХ И
ПОЛИМЕРАХ
3.1. Имплантация ионов Зй-металлов в полиметилметакрилат
3.1.1. Структура и фазовый состав
3.1.2. Магнитные и магнитооптические свойства
3.1.3. Электрические свойства
3.1.4. Влияние постимплантационных энергетических обработок
3.2. Особенности ионного синтеза ферромагнитных пленок в полиэтилентерефталате
3.3. Ионно-лучевой синтез в кварце
Выводы по Главе III
ГЛАВА IV. ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ
4.1. Ионно-лучевой синтез ВТСП пленок при бомбардировке керамики ЕгзОз- ВаО ионами Си+
4.2. Тетра-орто переход, индуцированный имплантацией ионов
галогенов в несверхпроводящую керамику УВагСизОб
4.3. Получение тонких эпитаксиальных высокотемпературных УВагСизО? пленок методом ионно-лучевого синтеза
4.3.1. Проблемы и особенности, возникающие при имплантации ионов в тонкие монокристаллические слои типа “1-2-3”
4.3.2. Имплантация ионов кислорода
Выводы по Главе IV

Рис.1.2. Изменение температуры поверхности образца ПММА при сканирующей имплантации ионов с энергией 40 кэВ с плотностью ионного тока 5 (кривая 1) и 40 мкА/см2 (кривая 2)