Эмиссия электронов при изменении макроскопической поляризации сегнетоэлектриков

• Автор: Пономарева, Наталья Юрьевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 108 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
IЛ.Общие сведения об электронной эмиссии из твердых тел
1.2. Эмиссия электронов из сегнетоэлектрических материалов. Общие закономерности
1.3. Фото- и термостимулированная эмиссия электронов из сегнетоэлектриков
1.4. Эмиссия электронов из сегнетоэлектриков стимулированная переменным электрическим полем
ГЛАВА И. ЭМИССИЯ ИЗ СЛАБЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
11.1. Описание методики исследования. Блок-схема и параметры экспериментальной установки
11.2. Некоторые сведения о слабых сегнетоэлектриках. Характеристика основных диэлектрических свойств гептагерманата лития
И.З. Эмиссия из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития
ГЛАВА III. КИНЕТИКА ЭМИССИИ
III. 1. Кинетика эмиссии слабого сегнетоэлектрика 1л20е7015
111.2. Кинетика электростимулированной эмиссии кристаллов
ТГС различной степени дефектности
111.3. Влияние частоты переключающего поля на эмиссию из сегнетоэлектриков

ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОЭРЦИТИВНОГО И ПОРОГОВОГО ПОЛЕЙ
IV. 1. Особенности электростимулированной эмиссии из кристаллов ТГС различной степени дефектности
IV.!. Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из
сегнетоэлектрика триглицинсульфата
1У.З. Теоретическое рассмотрение эмиссии из сегнетоэлектриче-
ских кристаллов, стимулированной переключением
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы. Развитие наукоемких технологий в мировой практике по-прежнему в существенной степени определяется успехами и темпами разработок электронной техники и, в частности, активно развивающейся области - эмиссионной электроники. Приборы, действие которых основано на этом явлении, находят широкое применение в различных областях науки и техники. В частности, высокая структурная чувствительность метода эмиссии обуславливает широкие возможности его использования для неразрушающего контроля свойств различных материалов.
Потребности техники стимулируют работы по дальнейшему изучению, усовершенствованию и поиску новых эмиттеров. В последнее время в качестве таких материалов рассматриваются сегнетоэлектрики. Свойства электронной эмиссии из сегнетоактивных материалов (высокая плотность эмиссионного тока, кинетическая энергия эмитируемых электронов порядка нескольких килоэлектрон-вольт) доказывают их конкурентоспособность с общепринятыми импульсными источниками электронов и хорошие перспективы использования в различных устройствах микроэлектроники.
Существенный прогресс в практическом применении сегнетоэлектриче-ских эмиттеров не может быть достигнут без глубокого понимания физики эмиссионных явлений. Однако, несмотря на то, что к настоящему времени предложен целый ряд гипотез, существующие попытки создания теории происхождения электронной эмиссии из сегнетоэлектриков пока ещё далеки от завершения. Это объясняет постоянно высокий научный интерес к проблеме и стимулирует активные исследования в данном направлении.
Помимо этого, эмиссия электронов интересна и перспективна как один из чувствительных методов исследования сегнетоэлектрических материалов. Эмиссионные характеристики несут в себе информацию не только о поверхностном слое эмиттера, но и о процессах, происходящих в объеме сегнетоэлек-трика (например, при изменении его полярного состояния), его дефектной

ми побудило нас к проведению исследований с целью сравнения эмиссии спектров с экспериментальными результатами, полученными для обычных сегнетоэлектриков.
В заключение отметим, что возможность регистрации электронных спектров в виде зависимости Е, Т) позволяет надеяться на то, что на основе изучения эмиссионных зависимостей удастся разработать спектроскопию нового типа, когда по электронным спектрам исследуется не только электронное состояние материалов или их структура, но и сегнетоэлектрические свойства. Под последними понимается достаточно широкий спектр свойств, главным из которых является нелинейная зависимость между поляризацией и электрическим полем. В настоящее время эмиссионный метод находится на стадии разработки, что также делает весьма актуальным и необходимым проведение настоящих экспериментальных исследований по изучению эмиссионных процессов, происходящих при переполяризации сегнетоэлектриков.