Фотопроводимость фосфида галлия, сильно компенсированного медью

• Автор: Буслов, Вадим Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 131 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ.
СОДЕРЖАНИЕ

ЕЛАВА 1 .ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Примесные состояния меди в фосфиде галлия
1.2 Модель примесного центра меди в арсениде галлия
ЕЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Приготовление образцов
2.2 Измерение фотопроводимости фосфида
галлия, компенсированного медью
2.3 Обработка экспериментальных данных
ГЛАВА 3. ПРИМЕСНАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФОСФИДА
ГАЛЛИЯ, СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ
3.1 Спектр примесной фотопроводимости GaP
в области энергий квантов близкой к ширине запрещенной зоны
3.2 Спектр примесной фотопроводимости GaP в
области низких энергий квантов
3.3 Спектральная зависимость эффекта инфракрасного гашения собственной фотопроводимости GaP
3.4 Влияние неидеальности контактов на
спектры ПФП GaP
3.5 Модель поведения примеси меди в фосфиде галлия
3.6 Обсуждение причин возникновения полосы с максимумом при 1.05 эВ и порогом около 0.6 эВ
3.7 Обсуждение хода спектральной зависимости
инфракрасного гашения собственной фотопроводимости ОаР<Си>

ГЛАВА 4. АНОМАЛИИ СПЕКТРА СОБСТВЕННОЙ
ФОТОПРОВОДИМОСТИ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ
4.1 Влияние интенсивности освещения на вид спектра собственной фотопроводимости СаР<Си>
4.2 Влияние дополнительной подсветки на вид спектра собственной фотопроводимости СаР<Си>
4.3 Влияние условий проведения эксперимента на вид
спектра собственной фотопроводимости СаР<Си>
4.4 Анализ формы спектров собственной
фотопроводимости ОаР<Си>
4.5 Результаты аппроксимации полученных
спектров и их объяснение
4.6 Особенности спектров собственной ОаР<Си>, обработанного в растворе
ГЛАВА 5. КИНЕТИКА СОБСТВЕННОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ И КИНЕТИКА ИНФРАКРАСНОГО ГАШЕНИЯ СОБСТВЕННОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ
5.1 Кинетика собственной фотопроводимости ОаР<Си>
5.2 Кинетика инфракрасного гашения собственной фотопроводимости ОаР<Си>
5.3 Обсуждение аномалий кинетики собственной фотопроводимости СаР<Си>
5.4 Обсуждение аномалий кинетики инфракрасного
гашения собственной фотопроводимости СаР<Си>
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. АППРОКСИМАЦИЯ ПОЛОСЫ ПФП С МАКСИМУМОМПРИ 1.05 эВ ФОРМ-ФУНКЦИЕЙ ПЕКАРА (3.2)
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. АППРОКСИМАЦИЯ СПЕКТРОВ СФП ОаР<Си> ФОРМУЛОЙ (4.2)

ровому вольтметру В7-21. Наиболее высокоомные образцы с р=108-Л010 Ом см и высокой фоточувствительностью были получены в температурном интервале 900-930°С. Такое сильное изменение величины удельного сопротивления свидетельствует о сильной компенсации исходного типа проводимости. Контрольные образцы, обработанные при таких же условиях незначительно изменяли свое удельное сопротивление и не имели фоточувствительности. Продолжительность отжигов варьироваласьот 1 часа до 3 часов - при проведении отжигов в КЗО, и до 24 часов - при отжиге в запаянной ампуле. Температурная зависимость коэффициента диффузии и предельной растворимости меди в ОаР не известна, однако авторы большинства работ сходятся во мнении, что при таких условиях легирования достигается равномерное насыщение объема образца медью.
По окончании отжигов образцы закаливались путем погружения ампул в холодную воду. После извлечения образцов из ампулы на их поверхности не было замечено следов окисления или разложения. Для удаления с поверхности оставшихся слоев меди и поверхностных нарушений образцы подвергались повторной шлифовке и полировке.
2.2. Измерение фотопроводимости фосфида галлия, компенсированного медью.
Спектры фотопроводимости образцов исследовались при помощи спектрометра СДЛ-2, функциональная схема которого приведена на рис.
2.3. Важным преимуществом фотоэлектрической спектроскопии по сравнению, например, с абсорбционной, является возможность применять её при очень малых концентрациях примесей /39/. Электрические контакты к образцу создавались втиранием в его поверхность индиево-