Анализ дефектов структуры полупроводников по рентгенотопографическим и поляризационно-оптическим розеткам контраста

• Автор: Окунев, Алексей Олегович
• Шифр специальности: 01.04.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Великий Новгород
• Количество страниц: 457 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ПРЯМЫЕ НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЁТКИ
МОНОКРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР)
1Л. Современное состояние рентгеновской топографии
1Л Л. Общая характеристика методов рентгеновской топографии
1Л .2. Физические принципы методов рентгеновской топографии
1Л .3. Вопросы интерпретации изображений в рентгеновской топографии
1.2. Поляризационно-оптический метод исследования дефектов в кристаллах (метод фотоупругости)
1.2.1. Физические принципы поляризационно-оптического
метода
1.2.2. Применение метода фотоупругости для анализа дефектов монокристаллов
1.3. Выводы и постановка задач диссертационного
исследования
Глава 2. АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, ПОДГОТОВКА МОНОКРИСТАЛЛОВ
2.1. Подготовка монокристаллов для оптических и топографических исследований
2.2. Политипный анализ кристаллов БЮ
2.3. Аппаратура и геометрия съёмки
2.4. Оцифровка экспериментальных топограмм и поляризационнооптических снимков

2.5. Компьютерная обработка топографических и поляризационнооптических изображений дефектов кристаллической решётки
монокристаллов
. 2.5. Выводы
Глава 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТРАСТА ИНТЕНСИВНОСТИ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ В МЕТОДАХ РТБ И ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА
3.1. Метод расчёта бормановского контраста интенсивности от
дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций
3.2. Моделирование изображений дислокаций в методе РТБ
3.3. Моделирование изображений микродефектов в методе РТБ
3.4. Моделирование поляризационно-оптических изображений дислокаций
3.5. Выводы
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ
МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ РТБ
4.1. Экспериментальный контраст от дислокаций в методе РТБ
4.1.1. Контраст от дислокаций в кристаллах БЮ
4.1.2. Краевые дислокации в кристаллах СаАз
4.1.3. Дислокации в монокристаллических сплавах (В1+БЬ)
4.2. Исследование дефектов упаковки методом РТБ
4.2.1. Теоретические модели дефектов упаковки в монокристаллах с решёткой алмаза
4.2.2. Моделирование контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций в монокристаллах кремния в методе РТБ
4.2.3. Исследование ростовых ДУ в монокристаллах кремния методом РТБ
4.3. Экспериментальный контраст от микродефектов в методе

4.3.1. Исследования микродефектов в кристаллах Б1, Б1С, ОаАя и
(ЕН+БЬ)
4.3.2. Цифровая обработка изображений микродефектов
4.4. Определение чувствительности метода РТБ при исследовании различных материалов
4.5. Выводы
Глава 5. РЕНТГЕНОВСКИЙ КОНТРАСТ ОТ ДИСЛОКАЦИЙ В УСЛОВИЯХ СЛАБОГО ПОГЛОЩЕНИЯ
5.1. Получение секционных и проекционных топограмм дефектов в монокристаллах БЮ
5.2. Секционные изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности кристаллов БЮ
5.3. Изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности кристаллов БЮ, в методе Ланга
5.4. Выводы
Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ ПОЛЯРИЗАЦИОННООПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ
6.1. Исследование дислокаций в монокристаллах БЮ, выращенных методом Лели
6.2. Применение метода фотоупругости для исследования дефектов в монокристаллах БЮ, выращенных методом ЛЭТИ
6.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ
Текст программы для расчёта розеток эффективной разориентации и
контраста интенсивности от дефектов структуры кристаллов в методах
РТБ и поляризационно-оптического анализа

Изображение дислокации в 81 на секционной топограмме (толщина кристалла 0,8 мм, р/«1,12): отражение 220 (а); та же дислокация, отражение 220, дислокация не пересекает прямой пучок и прямое изображение отсутствует (б); схема формирования изображений в двух предыдущих случаях (в, г); расчётное изображение, соответствующее экспериментальной топограмме на рис. а (д); изображение этой дислокации в методе проекционной топографии Ланга (е). Обозначения: /] - прямое изображение, 12 - динамическое, /3 - промежуточное [4].
Рисунок 1.4.