Микроволновый отклик монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников

• Автор: Трунин, Михаил Рюрикович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 154 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
I Предмет исследования
А Электродинамика классических сверхпроводников в микроволновом
диапазоне
1 Поверхностный импеданс и комплексная проводимость сверхпроводников
2 Двухжидкостная модель Гортера-Казимира
3 Модель Бардина-Купера-Шриффера
4 Модель Элиашберга
5 Нелинейность Гинзбурга-Ландау
В Высокотемпературные сверхпроводники
1 Металлическая и сверхпроводящая фазы оптимально допированных
ВТСП
2 Симметрия параметра порядка ВТСП
II Экспериментальные методы исследования микроволнового отклика
монокристаллов ВТСП
А Измерения температурной зависимости поверхностного импеданса
1 Экспериментальная установка
2 Измерительная схема
3 Измеряемые величины
4 Исследуемые образцы, их геометрические факторы и анизотропия
5 Факторы, влияющие на точность определения измеряемых величин
6 Проверка экспериментального метода: поверхностный импеданс и комплексная проводимость ЫЬ
В Метод генерации высших гармоник
Результаты измерений поверхностного импеданса в монокристал-
лах ВТСП: особенности и общие черты
А Отбор образцов и процедура измерений
В Поверхностный импеданс в нормальном состоянии
С Поверхностный импеданс в сверхпроводящем состоянии
1 Низкие температуры, Т < Гс/3
2 Промежуточные температуры, Т ~ Те/2
3 Близкие к Тс температуры, Т ~ТС
Результаты исследования комплексной проводимости монокристаллов ВТСП
А Область Т <ТС
В Область вблизи Тс
Феноменологическое описание экспериментальных данных: обобщенная двухжидкостная модель
А Процессы рассеяния и поверхностное сопротивление монокристаллов ВТСП
1 Температурная зависимость времени релаксации нормальных носителей в монокристаллах УВагСизОб.эв
2 Время релаксации в тетрагональных монокристаллах ВТСП
3 Импеданс Ва0.бКо.4ВЮз: учет остаточного поверхностного сопротивления
В Плотность сверхпроводящих носителей и комплексная проводимость
Микроскопические модели высокочастотного отклика ВТСП: сравнение с феноменологией и экспериментом
А Коэффициент затухания квазичастиц в изотропной модели Элиашберга 113 В Модель почти антиферромагнитной ферми-жидкости с -спариванием

С Двухзонная модель
1 Импеданс и проводимость в аб-плоскости УВа2Сиз06.95: роль примесного рассеяния
2 Глубина проникновения поля вдоль оси с
Б Смешанная симметрия параметра порядка
VII Время релаксации параметра порядка
Заключение
Литература

Отличительным свойством систем с сильным взаимодействием является размытие щели в спектре электронных возбуждений. Строго говоря, она вообще отсутствует при Т ф 0 [54,58]. Это приводит к разрушению куперовских пар, расплыванию пика в плотности состояний и подавлению когерентных эффектов. В работе Каракозова, Максимова и Михайловского [59] показано, что плотность электронных состояний при конечных температурах отлична от нуля при всех Ли ив спектре сверхпроводников имеются возбуждения с энергиями ’’внутри щели ”, что приводит к существенному перераспределению числа нормальных и сверхпроводящих электронов и значительным отклонениям свойств сверхпроводников с сильной связью от модели ВСЯ. Если константа связи достаточно велика (д > 2), когерентный пик в проводимости (Т) или скорости релаксации ядерного спина исчезает [59,60]. Это демонстрируют штриховые кривые на рис. 7. Кроме того, при д > 2 механизм возбуждения нормальных квазичас-
Рис. 7. Зависимости от приведенной температуры 4 = Т/Тс функций Л2(0)/Л2(£) (сплошные кривые) и скорости релаксации ядерного спина (штрихи) для констант связи 2 (1,1'); 3.5 (2,2') и 5 (3,3') [59].
тиц становится принципиально другим по сравнению с ВСБ моделью: они возникают уже без переброса через энергетическую щель и могут находиться в состояниях с лю-