Локальная динамика парамагнитных центров таллия в кристаллах группы β-K2 SO4

• Автор: Мамин, Георгий Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 140 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1.
1.1.
1.2.
1.3.

1.7.
2.1.
2 11

2.3.
2.4.
Модернизация измерительного комплекса на базе
радиоспектрометра ТШ
Используемое промышленное оборудование
Устройство связи с объектами
Модернизация блоков спектрометра ТНМ-251 для цифровой
регистрации спектров ЭПР
Алгоритм программы регистрации спектров ЭПР
Модернизация блока синхронного детектора
Модернизация блока регулировки и измерения температуры

Установка для измерения диэлектрической проницаемости
кристаллов на базе прибора Е
ЭПР парамагнитных центров ТРТ в кристаллах КгБСС, КіЗСР,

Общие свойства ЭПР парамагнитных центров ТÑà в кристаллах
группы р-К2804
Структура кристаллов группы р-К2804
Спиновый гамильтониан и энергетические уровни
парамагнитных центров ТГТ
Получение парамагнитных центров Т12+ в кристаллах
группы В-К2804
Изотопическое расщепление линий спектра ЭПР
парамагнитных центров ТРЭ Н )
Спектры ЭПР нецентральных ионов ТР+(П) в кристаллах К2804> КЬ28С*4 и Сз2804
2.4, | Температурная трансформация формы линии ЭПР ионов
Т12+(11) в кристаллах К2804, ЯЬ2804, Сз2804
2.4.2. Определение времени жизни дефектных конфигураций парамагнитных центров ТРОП) в кристаллах К2804
2.4.3. Сужение линий ЭПР парамагнитных центров ТРОП) при совпадении резонансных полей
2.4.4. Нелинейная температурная зависимость положения линий ЭПР парамагнитных центров Тн в кристаллах К28С>4,
2,5. Низкотемпературные аномалии спектров Эиг парамагнитных
центров Т12+(1!) в кристаллах КЬ2804 и С528С>4
2.5.1. Температурная трансформация формы линии ЭПР парамагнитных центров Т12+(П) в кристаллах КЬ-ЖО, Сз2804
2.5.2. Изменение симметрии спектра ЭПР, вызванное дополнительной
степенью свободы движения парамагнитного центра Т1 +(Н)
2.5.3 Зависимость ширины линий ЭПР ионов ТТОII) в кристаллах
к О-40, СзгЗСц от ориентации магнитного поля
2.6. Возможные механизмы смещения иона Т12+(Н) из позиции
катиона в кристаллах группы р-К2804,
2.6.1. Смещение иона таллия под воздействием электростатических сил
2.6.2. Смещение примесного иона под влиянием локальных колебанийТб
2.6.3. Смещение примесного иона под влиянием псевдоэффекта
Я на-Т еллера
ГЛАВА 3. ЭПР ионов ТГ 4 И) в кристаллах К28е04
3.1, Структурные фазовые переходы в кристаллах КгЗеСр
3.1.1. Форма линий спектров ЯМР, ЭПР, ЯКР в кристаллах с
несоразмерными фазами

3.12- Влияние дадьнодействующих корреляций между
парамагнитными центрами ТТ в несоразмерной фазе на спектры ЭПР
3.2. Зависимость формы линий спектра ЭПР от концентрации парамагнитных центров ТРИII)
3.3. ЭПР ионов Т12+(П) в области 1-фазы
3.4. ЭПР ионов ТРЭ11) в области Р-фазы
3.5. ЭПР ионов ТГ+(И) в области перехода из I- фазы в С
3.6. ЭПР ионов ТгчН) в С-фазе
3.6.1. Определение времени сшш-решеточной релаксации
парамагнитных центров фазовым методом
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ

когда направлений осей этих тензоров не совпадают, расчеты положения .линий ЭПР не могут быть проведены в аналитическом виде.
Поскольку направления магнитного поля, при которых угловая зависимость положений линий ЭПР достигает своих экстремумов, близки к направлениям главных осей А и тензора, то мы можем ввести эффективный йаЛЛ-тешор для описания угловых зависимостей лишь одного из сверхтонких переходов и использовать формализм описания угловых зависимостей для системы с 5г>фф=У2 для определения направления главных осей этого ЯиАд-тешора. Температурная зависимость направлений главных осей тензора будет отражать изменения потенциала кристаллического поля иона таллия в позиции катиона. Нами изучались температурные и угловые зависимости положения линий слабополевого перехода, которые имели меньшую собственную ширину и, соответственно, большую пиковую интенсивность, в трех кристаллографических плоскостях.
2.2, Получение парамагнитных центров ТГ в кристаллах группы р-К2804,
Все выращенные кристаллы содержали в качестве примеси ионы ТТ. Электронная конфигурация одновалентного таллия ГХеЗсИ'бзэ поэтому этот ион не парамагнитный Для получения парамагнитных центров ТТЭ кристаллы КгЗОз, КЬгЗСд, ОйБО* КгЗеСц облучались рентгеновскими лучами на установке УРС-55 в течение 0.5-2,0 часов пои температуре жидкого азота. Радиационная мощность установки определялась по разрушению нитрата калия и составляла 1.5 ! 0° эВ/г.'сек. Дозы облучения составляли, следовательно, порядка 10° рентген. Концентрация парамагнитных центров ТТ+ в облученных кристаллах определялась из сравнения интегральной интенсивности спектра ЭПР е калиброванным эталоном ДФПГД-69 и составляла !01’-!01 спинов на образец (размеры образцов 3x4x4 мм).