Дефекты эпитаксильных YBa2 Cu3 O7 пленок как источники фликкер-шума

• Автор: Бобыль, Александр Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 241 с. : ил.

ДЕФЕКТЫ ЭГГИТАКСИЛЪНЫХ УВа2Си307 ПЛЕНОК КАК ИСТОЧНИКИ
ФЛИККЕР ШУМА
ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение
Глава!. Локальные исследования структурных и электрофизических
свойств эпитаксиальных пленок УВа2Си307. Флуктуации микродеформации и фликкер шум нормальной фазы
1.1. Образцы, методика эксперимента, и определение параметров
блочных пленок
1.2. Спектральные распределения дефектов флуктуаторов. Кисло
родные и катионные дефекты как источники фликкер шума
- 1.3. Теоретическая модель и определение параметров двухямного
потенциала
Глава 2.
2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
Исследования корреляций между микросоставом, 31 критическими температурами Тс, токами /с и фликкер шумом нормальной фазы на диаграмме катионных состояний
Образцы и точность рентгеноспектрального микроанализа

Зависимость величины Тс от микросостава на диаграмме
катионных состояний и двухслойная модель решетки
УВа2Си307
Итенсивность фликкер шума нормальной фазы вдоль разрезов 48 диаграммы катионных состояний
Зависимость величины ]с от микросостава на диаграмме
катионных состояний
Катионное дефектообразование в областях гомогенных 54 составов и фазовых расслоений. Анализ электронно-
микроскопических изображений и микромодели дефектов
Глава 3. Моделирование спектра дефектов-флуктуаторов методом 61 Монте-Карло и источники шума нормальной фазы на /-Т-плоскости

Описание процедуры Монте-Карло моделирования и выбор параметров компьютерных расчетов
Влияние одноосной деформации на пространственные распределения кислорода и спектры дефектов флуктуаторов
Структура спектров дефектов-флуктуаторов и конфигурации ближайшего окружения атомов кислорода
Интерпретация шумовых измерений. Межблочные границы и преобладающие источники шума на/-Т плоскости
7>неоднородности эпитаксиальных пленок УВа2Си307 и фликкер шум сверхпроводящей фазы вблизи перехода.
Образцы и методика эксперимента. Протекание тока и шум двухфазных пленок (-ориентированные включения в с-ориентированной пленке)
Модель шума относительного обьема сверхпроводниковой фазы и функция распределения фрагментов образца по Тс
Анализ температурных зависимостей тока и шума вблизи Тс и определение параметров модели
Использование Гс-карт для исследования деградации пленок, определения фрактальных параметров и описания проводимости а(Т,Н)
Методика Тс картографирования с пространственным разрешением 2 мкм
Исследования воздействия воды на функцию распределения фрагментов образца по Тс и механизм деградации пленок
Определение фрактальных параметров СП кластера и структуры протекания тока вблизи перехода. Приближение эффективной среды для описания шума нелинейных по току и неоднородных по Тс пленок
Использование 7)-карт для описания семейства зависимостей проводимости о(Т,Н) и построения диаграмм ошибок на Т-Н-плоскости

Микродефекты (типа слабая связь, скрытые дефекты, "узкое горло") как источники магнито-зависимого шума ниже Тс
Обнаружение скрытых дефектов и определение их параметров. Анализ гистерезисных зависимостей величин протекающего тока и фликкер шума от внешнего магнитного поля
Магнито-оптические исследования. Модель Бина критического состояния и крип магнитного потока
Магнито-оптические исследования. Флуктуирующий захват магнитного потока
Исследование процесса сгорания УВ2Сиз07 полосок при пропускании импульсов тока
Магнитозависимый фликкер шум мощности СВЧ резонаторов с ВТСП пленкой
результаты работы
1. Блок-схема программы расчета распределения кислорода по СиО плоскости
2. Приближение эффективной среды и описание фликкер шума на пороге протекания
3. Блок-схема программ расчета пространственного распределения Тс и температурной зависимости пространственного распределения плотности тока
4. Сканирующая БЦШЕ) микроскопия для оценки уровня технологии пленок
5.Технология травления УВ2Сиз07 пленок для микроболометров антенного типа
ПУБЛИКАЦИИ ПО ДИССЕРТАЦИИ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Рис.2.1. Изображения, полученные в сканирующем микроскопе во вторичных электронах, планарной структуры (а), использованной для измерения Тг карты (полоска в верхнем правом углу), и поверхностей УВагСизСЬ пленок на ЪаАЮз (б), ШОаОз (в), 1УО(г) и АЬОз (д) подложках. Совокупность полосок на (а) используется для контроля ростовой и планарной технологии и для электрофизической характеризации пленки. 1000 и 3 мкм шкалы указаны внизу а) и правых углах б)-д), соответственно.