Фазовый состав и магнитные свойства пленок Fe-N

• Автор: Писаренко, Инна Владимировна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Владивосток
• Количество страниц: 115 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение и постановка задачи
Г лава 1. Литературный обзор
1.1. Технологические параметры и формирование фаз нитридов металлов
1.2. Структура и магнитные свойства пленок нитридов металлов
1.3. Влияние легирующих добавок на образование нитридов
Глава 2. Получение и исследование пленок Fe-N и Fe-N/Fe/Fe-N
2.1. Метод реактивного магнетронного распыления
2.2. Измерение магнитных характеристик
2.3. Исследование структуры и фазового состава пленок с помощью
электронного микроскопа
2.3.1. Лоренцева электронная микроскопия
2.4. Определение скорости осаждения пленок
Глава 3. Структура, фазовый состав и магнитные свойства пленок Fe-N
3.1. Определение оптимального давления рабочего газа при осаждении
пленок Fe
3.2. Влияние концентрации азота и давления рабочего газа на свойства
пленок Fe-N, осажденных при комнатной температуре
3.2.1. Фазовый состав и магнитные параметры пленок Fe-N с разным содержанием азота в смеси рабочего газа (Pai+n2 = 2,3-10‘4 Topp, Ts = 20 °С)
3.2.2. Состав и свойства пленок Fe-N, осажденных при Ts = 20 °С, CN = 10 ат.% при разном давлении рабочего газа
3.3. Влияние температуры подложки на фазовый состав и магнитные свойства
пленок Fe-N (Cn =10 ат.%, Paim-n2 = 4 ТО'4 Topp)
3.3.1. Фазовый состав и магнитные параметры пленок Fe-N, осажденных
на горячие подложки
3.3.2. Влияние концентрации азота на фазовый состав и магнитные свойства пленок Fe-N, осажденных при Рдг+ш = 4 ТО'4 Topp, Ts = 350 °С
3.3.3. Влияние давления рабочего газа на фазовый состав и магнитные свойства пленок с Cn =10 аТ.%, осажденных при Ts = 350 °С
3.4. Фазовый состав и магнитные свойства пленок Fe-N, осажденных на горячие
подложки при Pat+n2 = 8 ТО'4 Topp
3.5. Доменная структура пленок F e-N
3.6. Выводы
Глава 4. Магнитные свойства отожженных пленок Fe-N
4.1. Изотермический отжиг пленок Fe-N
4.2. Термомагнитная обработка пленок Fe-N
4.3. Выводы
Глава 5. Трехслойные пленки Fe-N/Fe/Fe-N
5.1. Магнитные свойства трехслойных пленок F e-N/F e/F e-N
5.2. Зависимость магнитных параметров трехслойных пленок от концентрации
азота
5.3. Выводы
Заключение
Список литературы

ВВЕДЕНИЕ.
В современной электро- и радиотехнике, микроэлектронике, технике звуко- и видеозаписи широко используются магнитные пленки, причем к их эксплуатационным характеристикам предъявляются все более и более высокие требования. Современные компьютеры для запоминания и долговременного хранения информации в виде программ, исходных данных, результатов обработки и т.п. содержат внешнюю память - накопитель информации, представляющий собой запоминающее устройство большой емкости. Внешние запоминающие устройства большинства компьютеров различного назначения основаны на магнитной записи [1]. Такие устройства, как правило, содержат носители информации в виде гибких или жестких дисков либо магнитных лент и блок записывающих и воспроизводящих магнитных головок.
Одна из основных задач совершенствования внешних запоминающих устройств заключается в повышении информационной плотности записи, которая зависит не только от магнитных свойств материала рабочего слоя носителя, но и в не меньшей степени от технических, физических и конструктивных параметров преобразователей, с помощью которых реализуется запись и воспроизведение. Запоминающие устройства должны обеспечить надежное и длительное хранение информации, малое время доступа, низкую стоимость хранения единицы информации, высокую плотность и скорость записи. В лучших накопителях информации используются тонкопленочные магнитные и магниторезистивные головки различных модификаций. Магнитные пленки имеют особенности, благодаря которым их использование способствует повышению плотности записи информации и быстродействия запоминающих устройств. Чтобы отвечать этим требованиям, пленки должны обладать вполне определенным набором структурных и магнитных характеристик.

получения конечного изображения на экране. Непосредственно под экраном помещается фотопластинка для фиксирования изображения. В плоскость первого промежуточного изображения можно также ввести промежуточную диафрагму, ограничивающую область, дающую дифракцию. Промежуточная селекторная диафрагма при дифракции от избранной области позволяет получить дифракционную картину от небольших областей образца. Этот метод называется микродифракцией и дает возможность связать особенности структуры образца, выявляемые на микрофотографии, с его кристаллографией. Основным источником ошибок при дифракции от избранной области являются: а) сферическая аберрация объективной линзы и б) неправильная фокусировка этой линзы. Оба фактора необходимо учитывать при сопоставлении изображений и соответствующих дифракционных картин, Сферическая аберрация приводит к смещению изображения в плоскости селекторной диафрагмы и результаты, полученные от проходящих и от дифрагированных лучей, по существу относятся к разным областям образца. Коэффициент сферической аберрации определяется качеством объективной линзы. Очевидно, что микроскоп должен быть надежно сфокусирован и отъюстирован.
Для электронно- микроскопических исследований Бе-И пленки, осаждались на свежие сколы ЫаС1. Соль растворяли в дистиллированной воде. Снятую с ЫаС1 пленку помещали на медную сетку с размером ячейки 50x50 мкм2. Готовый к исследованиям образец помещали в медный патрон, который затем устанавливался в рабочей камере электронного микроскопа.
Для обыкновенной дифракционной камеры без электронных линз после образца, радиус Я дифракционного кольца на фотопластинке или экране (для плоскостей с расстоянием б) выражается соотношением 11= ХЬ/б, где К -расстояние от центрального пятна, X - длина волны электронов и I - расстояние от образца до экрана или пластинки. Обычно используют величину ХЬ как