Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Преображенский, Валерий Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
229 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование коллективных возбуждений в двумерных электронных системах методом неупругого рассеяния света | Кулик, Леонид Викторович | 2006 |
| Морфология, магнитные и магнитооптические свойства низкоразмерных структур Fe-Si | Лященко, Сергей Александрович | 2015 |
| Исследование сегнетоэлектрических фазовых переходов в Gd2 (MoO4)3 и CsH2AsO4 методами кристаллооптики и мандельштам-бриллюэновской спектроскопии | Мартынов, Виталий Геннадьевич | 1984 |