Модифицированные фототепловые методы для определения электронных и тепловых параметров полупроводниковых материалов

• Автор: Лапшин, Константин Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 141 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА
ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОТЕПЛОВЫХ МЕТОДОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ (Литературный обзор)
1.1. Сравнительные характеристики различных фототепловых методов, используемых для определения тепловых и электронных параметров образцов
1.2. Теоретическое обоснование применения метода “мираж” - эффект к анализу тепловых и электронных свойств полупроводников
1.3. Исследование зависимости параметров образцов от температуры и
давления
ГЛАВА
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННЫХ ФОТОТЕПЛОВЫХ МЕТОДОВ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ И ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
2.1. Расчет температурной зависимости тепловых параметров кремниевых образцов и погрешностей их определения, а также формы фототеплового сигнала, снятого с использованием импульсного метода «мираж» - эффект
2.2. Расчетная модель обработки экспериментальных результатов, получаемых с использованием импульсного метода «мираж» - эффект, учитывающая влияние рекомбинационных процессов на поверхности образца

2.3. Исследование тепловых и электронных параметров образцов методом «мираж» - эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча
2.4. Исследование тонкопленочных образцов фоторефлекционным методом с применением созданных биений между пробным и
возбуждающим излучениями
ГЛАВА
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ
3.1. Низкотемпературные исследования тепловых и электронных параметров образцов методом “мираж” - эффект с импульсным возбуждением
3.2. Исследование тепловых и электронных параметров образцов методом “мираж” - эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча
3.3. Исследование высокочастотных модуляционных колебаний, наблюдаемых в начале фототеплового сигнала, снимаемого при исследовании образцов методом “мираж” - эффект с импульсным возбуждением
3.4. Исследование тонкопленочных образцов фоторефлекционным методом с применением созданных биений между пробным и
возбуждающим излучениями
ГЛАВА
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
4.1. Исследование влияния на форму фототеплового сигнала пространственной и временной неоднородностей тепловой волны, проходящей через зону пробного луча

4.2. Измерение распределения энергии по сечению пробного луча, используемого при измерении параметров образцов импульсным методом «мираж» - эффект
4.3. Исследование высокочастотной модуляции, наблюдаемой в начале фототеплового сигнала, снимаемого методом «мираж» - эффект с импульсным возбуждением
4.4. Исследование тепловой составляющей фототеплового сигнала и определение коэффициента температуропроводности образцов методом “мираж” - эффект с импульсным возбуждением в температурном диапазоне (77-300) К
4.5. Определение скорости поверхностной рекомбинации образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением
4.6. Исследование тепловых и электронных параметров образцов методом "мираж" - эффект с импульсным возбуждением с раздвоением пробного луча
4.7. Исследования тонкопленочных образцов фоторефлекцйонным методом с применением созданных биений между пробным и
возбуждающим излучениями
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

работе [54] рассматривался набег фазы по сечению пробного луча, зависящий от глубины зондирования образца; в работе [55] проводится сравнение чувствительностей регистрации нестационарной термолинзы в интерферометрическом методе и методе «мираж» - эффекта.
Численные расчеты в работах, использующих теоретические модели, учитывающие объемный характер пробного излучения, производились путем компьютерной обработки через программные пакеты с использованием нелинейного метода наименьших квадратов путем варьирования параметров для минимизации среднеквадратичной функции ошибки [41]. Однако, форма сечения и распределение энергии пробного излучения в реальной экспериментальной ситуации (обычно это Не-Ые лазер с многомодовым излучением) индивидуальна для каждого лазера и может отличаться от вышеуказанных допущений.