Воздействие вольфрамового покрытия на свойства высокоомного компенсированного кремния

• Автор: Расмагин, Сергей Иосифович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 167 с.

Содержание
Введение
Глава 1. Основные сведения о состоянии вольфрама и
золота в кремнии
1.1 Влияние атомов вольфрама на свойства кремния
1.2 Механизмы диффузии атомов золота в кремнии
1.3 Растворимость золота в электрически активном состоянии
1.4 Энергетические уровни атомов золота в кремнии
Глава 2. Экспериментальная часть
2.1 Классификация и способ приготовления образцов
2.2 Методы измерений параметров материала
2.3 Техническое воплощение метода СВЧ-поля
2.4 Достоверность измеряемых величин ВРФ
Глава 3. Электрофизические свойства кремния после
вхождения примесей
3.1 Электрофизические свойства исходного и термообработанного кремния со свободной поверхностью
3.2 Электрофизические свойства термообработанного
кремния при наличии на поверхности слоя вольфрама
3.3 Электрофизические свойства образцов кремния, прошедших диффузию золота в исходный кремний
со свободной поверхностью
3.4 Электрофизические свойства образцов кремния, прошедших диффузию золота в предварительно термообработанный кремний со свободной
поверхностью

3.5 Электрофизические свойства образцов кремния, прошедших диффузию золота предварительно термообработанный кремний с поверхностным
слоем вольфрама
3.6 Электрофизические свойства образцов кремния, прошедших диффузию золота в исходный кремний
при наличии на поверхности слоя вольфрама
Глава 4. Взаимовлияние примесей
4.1 Анализ свойств исходного и термообработанного
кремния со свободной поверхностью
4.2 Анализ свойств термообработанного кремния
при наличии на поверхности слоя вольфрама
4.3 Анализ свойств образцов кремния, прошедших диффузию золота в исходный кремний
со свободной поверхностью
4.4 Анализ свойств образцов кремния, прошедших диффузию золота в предварительно термообработанный кремний со свободной поверхностью
4.5 Анализ свойств образцов кремния, прошедших диффузию золота в предварительно термообработанный кремний с поверхностным
слоем вольфрама
4.6 Анализ свойств образцов кремния, прошедших диффузию золота в исходный кремний при наличии
на поверхности слоя вольфрама
4.7 Сравнительный анализ электрофизических свойств образцов кремния, принадлежащих
к разным группам

4.8 Термостабильность и радиационностойкость удельного сопротивления и времени жизни носителей
в кремнии, легированном золотом и вольфрамом
Выводы
Литература

отличающихся друг от друга температурами диффузии золота <Аи>. В шестую группу вошли образцы, прошедшие диффузию <Аи> в исходный кремний при наличии на поверхности слоя <¥> при различных температурах в течение 5 часов. Напыленные слои золота и вольфрама были с разных сторон исходного кремния. Шестую группу составили шесть образцов, отличающихся друг от друга температурами диффузии Т[=800 С, Т2=850 С, Тз=900 С, Т4=950 С, Т5=1 ООО С и Т6=1100 с.
Таким образом, было приготовлено тридцать (30) образцов. Процессы термообработки и диффузии для всех образцов проводились в вакууме с давлением Р=10"3 мм.рт.ст. с последующим медленным охлаждением в течение 24 часов. Охлаждение проходило в печи естественным путем. После приготовления все образцы обрабатывались стандартным способом травления. Травление производили в растворе НР+НЫОз в соотношении 1:3 с последующим промыванием в дистиллированной воде.
2.2 Методы измерений параметров материала
У всех образцов было измерено удельное сопротивление при температуре Т=300 К (табл. 2 и табл. 3). Измерение величины удельного сопротивления р проводили четырёхзондовым методом. Метод измерений и схема установки подробно описаны в работе [75]. Также был определен тип проводимости образцов. Тип проводимости определяли с помощью термозонда [75]. Исходный кремний имел электронный тип проводимости. Последующая термообработка (ТО) и диффузия <Аи> у всех образцов не изменила тип проводимости. Проводимость осталась электронного типа.
Измерения зависимостей времени релаксации фотопроводимости от температуры проводились бесконтактным методом с помощью СВЧ-поля [76, 77, 78, 79]. Физический принцип метода состоит в следующем: микроволновое поле, энергия кванта которого значительно меньше энергии возбуждения примесных и основных атомов, может взаимодействовать со свободными носителями в