Реальная структура тонкопленочных кристаллов селена

• Автор: Малков, Андрей Вячеславович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 192 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ
1.1. Реальная структура тонкопленочных кристаллов
1.1.1. Реальная структура кристаллов
1.1.2. Реальная структура тонкопленочных кристаллов. Селен
1.1.3. Влияние температуры кристаллизации на реальную структуру
тонкопленочных кристаллов
1.2. Формирование межблочных границ в тонкопленочных кристаллах
1.2.1. Релаксационно-деформационный способ формирования границ
1.2.2. Влияние температуры кристаллизации на процесс формирования границ
1.2.3. Асимметрия образования и кристаллогеометрических параметров межблочных границ
1.3. Ротационное искривление решетки тонкопленочных кристаллов
1.3.1. Ротационное искривление решетки вокруг одного направления
1.3.2. Искривление решетки вокруг двух взаимно-перпендикулярных направлений
1.3.3. Кристаллы с решеткой искривленной вокруг трех взаимноперпендикулярных направлений
1.4. Описание искривления решетки тонкопленочных кристаллов
1.4.1. Поверхность ориентировок как способ наглядного представления и изучения реальной структуры тонкопленочных кристаллов
1.4.2. Количественное описание искаженности кристаллической решетки ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ
1.4.3. Разориентация векторов обратной решетки. Кривизна решетки
КРИСТАЛЛА
ГЛАВА 2. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Постановка задачи
2.2. Методика исследований
2.2.1. Получение тонких аморфных пленок селена
2.2.2. Методика электронно-микроскопических исследований
2.2.3. Методика оптических исследований
ГЛАВА 3. РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА, РАСТУЩИХ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ 180-160°С
3.1. Межблочные границы вышедшие на фронт роста кристалла с ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ ЗНАКОМ ВЕКТОРА РАЗОРИЕНТИРОВКИ
3.1.1. О ФОРМИРОВАНИИ МЕЖБЛОЧНЫХ ГРАНИЦ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНА
3.1.2. Анализ картин контуров в кристаллах с границами вышедшими на
ФРОНТ РОСТА КРИСТАЛЛА. ИЗМЕНЕНИЕ ПОРЯДКА ЧЕРЕДОВАНИЯ ИЗГИБНЫХ КОНТУРОВ вдоль границы
3.1.3. О ХАРАКТЕРЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОРЯДКЕ ЧЕРЕДОВАНИЯ ИЗГИБНЫХ КОНТУРОВ ВДОЛЬ ГРАНИЦЫ КРУ ЧЕНИЯ ВЫШЕДШЕЙ НА ФРОНТ РОСТА КРИСТАЛЛА
3.1.4. Изменение знака вектора разориентировки вдоль межблочных границ
КРУЧЕНИЯ, ВЫШЕДШИХ НА ФРОНТ РОСТА КРИСТАЛЛА
3.2. Оборванные границы с изменяющимся знаком вектора разориентировки
3.2.1. Анализ картин изгибных контуров в кристаллах с оборванными границами. Изменение порядка чередования контуров
3.2.2. Изменение знака вектора разориентировки вдоль оборванных границ
С ИЗМЕНЕНИЕМ ПОРЯДКА ЧЕРЕДОВАНИЯ ИЗГИБНЫХ КОНТУРОВ
3.2.3. Особенности разориентировок решетки вдоль оборванной границы
кручения с изменяющимся знаком вектора разориентировки
3.2.4.0 нулевой разориентировке решетки вдоль межблочных границ кручения

3.3. Упругое ротационное искривление решетки тонкопленочных КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА
3.3.1. Анализ картин изгибных контуров исходных кристаллов
3.3.2. Упругое ротационное искривление решетки кристаллов селена
3.3.3. Упругое ротационное искривление решетки в кристаллах с
зарождающимися границами
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА, РАСТУЩИХ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ 150°С
4.1. Реальная структура кристаллов селена с линейной веерообразной картиной контуров, растущих в аморфных пленках при температуре кристаллизации 150°С
4.1.1. Картина изгибных экстинкционных контуров исследуемых кристаллов
4.1.2. Электронографические исследования реальной структуры кристаллов с линейной веерообразной системой изгибных контуров
4.1.3. Исследование реальной структуры кристаллов с помощью метода изгибных контуров
4.1.4. Исследование кристаллов с линейной веерообразной системой
изгибных контуров в гониометре
4.2. Кристаллы с нелинейной веерообразной системой изгибных экстинкционных контуров
4.2.1. Электронографические исследования реальной структуры кристаллов с нелинейной веерообразной системой изгибных контуров
4.2.2. Исследования реальной структуры кристаллов с нелинейной веерообразной системой контуров на электронно-микроскопическом изображении с помощью метода изгибных контуров

В связи с вышеизложенным, в задачу настоящей диссертационной работы входит следующее:
1. Провести детальное исследование реальной структуры
тонкопленочных кристаллов гексагонального селена с ротационным искривлением решетки;
2. Исследовать процессы релаксации упругого ротационного
искривления решетки кристаллов селена вокруг [001] и особенности формирования межблочных границ;
3. Исследовать изменения реальной структуры и геометрии решетки тонкопленочных кристаллов селена в зависимости от температуры кристаллизации; Разработать методику определения кривизны кристаллической решетки ротационно искривленной вокруг двух или трех взаимно-перпендикулярных направлений;
4. На основе полученного экспериментального материала о реальной структуре тонких кристаллов селена проанализировать процессы формирования межблочных границ и ротационного искривления решетки, происходящие при росте кристаллов в тонких аморфных пленках.
2.2. Методика исследований
Постановкой задачи определяется и методика проведения исследований в настоящей работе. Первой методической задачей является получение тонких аморфных пленок селена.
2.2.1. Получение тонких аморфных пленок селена
Тонкие аморфные пленки селена получались на вакуумном универсальном посту - ВУП-4 путем термического испарения в вакууме (10‘5 мм.рт.ст.) порошкообразной навески из вольфрамового тигля с последующей конденсацией паров на подложки при комнатной температуре. Подложками служили свежие сколы слюды. Для исключения влияния дефектов