Нелинейно-оптическая и фоторефрактивная решетки монокристаллов сложных ниобатов

• Автор: Чаплина, Татьяна Олеговна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 184 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ И ИЗУЧЕНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В КРИСТАЛЛЕ НИОБАТА ЛИТИЯ
1.1. Структура кристаллов 1л1ЬОз
1.2. Точечные дефекты в кристалле ниобата лития
1.3. Вращательные полосы роста в кристаллах ниобата лития, выращенных из расплава
1.4. Методы создания периодической доменной структуры
1.5.Механизмы образования периодической доменной структуры
1.6. Исследование ростовой доменной структуры
1.7. Ниобат лития - нелинейный кристалл для преобразования
частоты лазерного излучения
ВЫВОДЫ:
Глава 2. ВЫРАЩИВАНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ЫХЬОз С ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРОЙ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО
2.1. Особенности роста монокристаллов ниобата лития
2.2. Выбор оптимальных условий выращивания
2.3. Влияние тепловых условий на рост кристаллов ниобата лития
2.4. Синтез шихты
2.5. Установка для выращивания кристаллов

2.6. Формирование периодической доменной структуры в
процессе выращивания кристаллов из расплава
ВЫВОДЫ:
Глава 3. ОСОБЕННОСТИ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ В КРИСТАЛЛАХ ЫХтЬ03:У, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО
3.1. Исследование корреляции между распределением примеси и положением границ сегнетоэлектрических доменах в кристаллах нибата лития, выращенных в направлении оси X.
3.2. Влияние грани {0112} на распределение примесей в кристаллах .<1:1ц:1аМ)
3.3. Движение доменных стенок в кристаллах У:ЫХЬОз,
выращенных методом Чохральского
ВЫВОДЫ:
ГЛАВА 4. ОСНОВЫ ЭФФЕКТА ФОТОРЕФРАКЦИИ
4.1. Процессы фотогенерации и пространственного перераспределения подвижных носителей заряда в фоторефрактивных кристаллах
4.2. Физические модели фоторефрактивного эффекта
4.3. Фоторефрактивный эффект и его проявления в динамической голографии
4.4. Некоторые основные характеристики фоторефрактивных
кристаллов для записи объемных фазовых голограмм.
ВЫВОДЫ:
Глава 5. ВЛИЯНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕНОВ НА ЭФФЕКТ ФОТОРЕФРАКЦИИ В
КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ.
5.1. Исследование механизма внедрения железа в кристаллы ниобата лития
5.2. Фоторефрактивный отклик объемного периодически поляризованного 1лМЬОз:У:Ее при высоких и низких пространственных частотах
5.3. Влияние флуктуаций доменной структуры на фоторефрактивный отклик в периодически-поляризованных
кристаллах ниобата лития
ВЫВОДЫ:
Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОРЕФРАКТИВНЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ НИОБАТА КАЛИЯ
6.1. Выращивание кристаллов ниоба га калия
6.2. Измерение фотопроводимости и коэффициентов поглощения чистых и легированных железом кристаллов ниобата калия
6.3. Особенности распространения световых волн в объеме фоторефрактивного кристалла
6.4. Оптические и электрооптические свойства кристаллов
ниобата калия
6.5. Наблюдение эффекта обращения волнового фронта.
ВЫВОДЫ:
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

прямого электронно-лучевого сканирования получили доменную структуру площадью до нескольких квадратных сантиметров (при использовании промышленных литографов) и глубиной до 500 мкм. Этот метод не требует нагрева кристалла и обеспечивает сравнительно хорошие параметры результирующих доменных структур с периодом до 3 мкм.
У каждого из перечисленных выше способов существуют как достоинства, так и недостатки:
■ при приложении поля в процессе выращивания кристалл из-за электролиза расплава, вырастает более дефектным (можно получить РДС в объеме кристалла, равном нескольким кубическим сантиметрам, с периодом несколько мкм);
■ при протягивании кристалла через печь с градиентом температуры и приложением реверсивного поля не удается получить шаг РДС меньше 80 мкм;
■ при приложении высокого напряжения к напыленным электродам в большинстве случаев происходит растрескивание (электрический пробой) кристалла (можно получить РДС площадью до 1 см2 и глубиной 1-2 мм);
■ в случае диффузии примеси процесс ограничен по скорости, требует нагрева до 100-600°С, при этом трудно получить глубину домена более 5 мкм (преимуществом можно считать то, что можно получать структуры площадью до нескольких квадратных сантиметров).
■ метод электронно-лучевого экспонирования тоже не лишен недостатков. Главными из них являются трудности при получении протяженных в объеме кристалла доменов (получить домены более 1 мм по глубине пока не удалось).