Электродинамический отклик в наноструктурах

• Автор: Миронов, Владимир Александрович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Саранск
• Количество страниц: 113 с. : ил.

Оглавление
Введение
Обозначения
Глава 1 Литературный обзор
1.1 Оптические внутризонные переходы в наноструктурах
1.2 Магнитный отклик наноструктур
Глава 2 Электродинамический отклик квантового кольца
2.1 Поглощение электромагнитного излучения квантовым кольцом
в магнитном иоле
2.2 Магнитный отклик двумерного квантового кольца
Глава 3 Электродинамический отклик квантовой точки и квантовых ям
3.1 Поглощение электромагнитного излучения двойной квантовой ямой
3.2 Магнитный отклик квантовой ямы и точки в скрещенных магнитном и электрическом полях
Глава 4 Магнитный отклик наноструктур с учетом спин-орби-тального взаимодействия
4.1 Магнитный отклик двумерного электронного газа
4.2 Магнитный отклик одномерного квантового кольца
Заключение
Список публикаций по теме диссертации
Список литературы
Приложение А
Приложение В Приложение С

Введение
В настоящее время достижения в области электроники и информационных технологий стали возможными за счет использования зарядов и спинов электронов. Интегральные микросхемы используются для обработки данных посредством заряда электронов в полупроводниках, в то время как носители информации, например “жесткие диски”, используют спин электронов в различных материалах. Современные технологии позволяют контролировать инжекцию и движение электронов в различных полупроводниковых структурах посредством их спиновой степени свободы. Это привело к появлению новой области в физике - полупроводниковая спиновая электроника (или спинтроника), использующая спиновые состояния электронов в полупроводниковых материалах. Применяемые в настоящее время полупроводники в интегральных микросхемах, транзисторах и лазерах, такие как кремний и арсе-нид галлия (СаАв), являются веществами, в которых энергия электрона, при движении во внешнем магнитном поле слабо зависит от направления спина. Тем не менее, в структурах субмикронных размеров, содержащих 102 — 109 электронов и проявляющих металлические, полупроводниковые или диэлектрические свойства, обменные взаимодействия имеют более выраженный характер и наличие спина у электрона становится все более ощутимым. Внимание к этим структурам обусловлено также и уникальными физическими свойствами ряда низкоразмерных систем. Так, в этих системах были открыты интересные физические эффекты, имеющие фундаментальное значение: целый [1] и дробный [2] квантовые эффекты Холла, эффект Ааронова-Бома в квантовых кольцах [3], квантование кондактанса в квантовых проволоках [4] и ряд других.
Наноэлектронные устройства, созданные на базе низкоразмерных си-

Рис. 2.6. Графики зависимости коэффициента поглощения в единицах Го от циклотронной частоты. Сплошная тонкая линия соответствует Т = 0.01 К, жирная сплошная линия - Т = 0.5 К. ц — 5 10~14 erg, П = 6 1012s-1, т — 10-11 s, п = 1, а>о = 5 1012s-1.