Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
- Автор:
Смирнов, Александр Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт и физико-химические свойства интеркалированных соединений графита и углеродных материалов на их основе | Ионов Сергей Геннадьевич | 2016 |
| Деформирование поверхностных слоев при трении и факторы, влияющие на трибологические свойства металлов | Колубаев, Евгений Александрович | 2005 |
| Особенности рентгенолюминесценции композитов из неорганических и органических сцинтилляторов | Шахрай, Оксана Анатольевна | 2011 |