Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
- Автор:
Смирнов, Александр Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Плазмохимический синтез наноразмерного диоксида кремния из тетраэтоксисилана, инициируемый импульсным электронным пучком | Холодная, Галина Евгеньевна | 2013 |
| Вихревые структуры и токовое состояние в сверхпроводниках с планарными дефектами и гетероструктурах ферромагнетик - сверхпроводник II рода | Айнбиндер, Роман Михайлович | 2007 |
| Особенности строения и фазовых переходов титаната кадмия (CdTiO3 ) | Кабиров, Юрий Вагизович | 2002 |