Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
- Автор:
Смирнов, Александр Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Синтез и структура пленок на основе гидроксиапатита | Костюченко, Александр Викторович | 2009 |
| Межзонные оптические переходы на уровнях Ландау в висмуте при Т≥77 К | Собченко, Сергей Олегович | 2001 |
| Нелинейные волновые и вихревые движения на поверхности жидкости | Филатов, Сергей Васильевич | 2019 |