Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
- Автор:
Смирнов, Александр Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света», автор — Смирнов, Александр Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2001 году. Объем работы: 180 с.. Внутренний код товара: 01000343492. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимодействие примесей углерода в железе: ab initio моделирование | Ридный, Ярослав Максимович | 2019 |
| Структурно-фазовое состояние и свойства сплавов на основе Ni-Cr, Co-Cr, Fe-Ni-Cr в результате воздействия концентрированных потоков энергии | Алонцева, Дарья Львовна | 2012 |
| Механизмы взаимодействия слоистых алюмосиликатов с водой по данным инфракрасной спектроскопии | Лазоренко, Георгий Иванович | 2015 |