Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
- Автор:
Смирнов, Александр Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование классических и квантовых моделей магнетиков методами Монте-Карло | Магомедов, Магомед Алиевич | 2004 |
| Электронно-пучковая модификация структуры и свойств поверхности электровзрывного легирования стали 45 | Ионина, Анна Валерьевна | 2010 |
| Структура, эффекты памяти формы и физико-механические свойства сплавов TiNi (Mo, Fe, Cu) | Кафтаранова, Мария Ивановна | 2013 |