Ионолюминесценция и дефектообразование в широкощелевых кристаллах при воздействии тяжелых заряженных частиц

• Автор: Рябухин, Олег Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 130 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ И ДЕФЕКТОВ В ДИЭЛЕКТРИКАХ
1.1. РАДИАЦИОННЫЕ ПОВРЕЖДЕНИЯ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
1.1.1. Элементарные акты взаимодействия ионизирующего излучения с веществом
1.1.2. Смещение атомов в твердых телах при облучении
1.1.3. Смещение атомов при взаимодействии фотонов и
нейтронов с твердым веществом '
1.1.4. Смещение атомов при взаимодействии электронов и
ионов с твердым телом
1.1.5. Радиационные дефекты в кристаллах
1.1.6. Особенности треков заряженных частиц и
распределения энергии в них
1.2. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ В ВеО и а-А1203
1.2.1. Дефектообразование в процессе роста кристаллов.
Легирование примесями
1.2.2. Аддитивное и субстрактивное окрашивание
1.2.2. Радиационное окрашивание
1.2.3. Оптические свойства собственных дефектов
1.3. ОСТОВНО-ВАЛЕНТНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
1.3.1. Спектрально-кинетические характеристики.
Механизм остовно-валентных переходов

1.3.3. Особенности высокоэнергетического возбуждения
1.4. ЗАДАЧИ НАСТОЯЩЕЙ РАБОТЫ
2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2Л. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1.1. Кристаллы оксидов бериллия и алюминия
2.1.2. Кристаллы фторида бария и хлорида цезия
2.2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.2.1. Ускоритель тяжелых заряженных частиц
2.2.2. Радиационно - оптический комплекс на канале циклотрона
2.2.2. Исследование катодо- и фотолюминесценции
2.2.3. Обработка результатов эксперимента и модельные расчеты
3. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ОКСИДАХ БЕРИЛЛИЯ И АЛЮМИНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
3.1. Ионолюминесценция и дефектообразование в ВеО
3.2. Образование метастабильных дефектов в
кристаллах ВеО под воздействием электронов
3.3. Ионолюминесценция и дефектообразование
в кристаллах а-А120з
Выводы к главе
4. ОСТОВНО-ВАЛЕНТНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ С8СБ И ВАЕ2 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ
4.1. Ионолюминесценция кристаллов СвС1 и ВаЕ2
при воздействии тяжелых заряженных частиц
4.2. Катодолюминесценция кристаллов СвО и ВаГ2 при облучении электронным пучком различной плотности
4.3. Рекомбинационное создание катионных экситонов
и тушение ОВЛ при больших плотностях возбуждения
Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

свечения. При облучении гамма квантами или рентгеновским излучением ОВЛ преобладает над другими видами свечения (выше амплитуда сигнала). Если при комнатной температуре регистрируется сопутствующее излучение с малыми временами затухания, то выделить полосы ОВЛ позволяют высокотемпературные измерения [85]. Поскольку переходы в остовную зону совершаются из разных состояний валентной зоны, то для спектров ОВЛ характерны одна или две полосы свечения. При низких температурах в образцах СвВг регистрировалось четыре максимума кратковременной люминесценции [74]. В [86] на примере кристалла СзС1, который при температуре 740 К переходит в структуру каменной соли и изменяет свой спектр люминесценции из двухполосного (5.06 эВ и 4.51 эВ) на однополосный (4.77 эВ), сделан вывод, что одна полоса ОВП характерна для кристаллов со структурой каменной соли, а две - для кристаллов со структурой СвС1 и флюорита. В работе [87] проведены расчеты плотности состояний в валентной зоне (рис. 1.4), из анализа которых также вытекает, что низкоэнергетический край полосы люминесценции соответствует энергетической щели Е&, а форма спектра и количество полос определяется состояниями в валентной зоне. По данным [70] для спектров излучения ОВП справедливы следующие утверждения:
1. Низкоэнергетический край полос ОВП соответствует ширине полосы второй энергетической щели кристаллов (Её2). Соблюдается левая часть неравенства (1.7). В некоторых случаях минимальное значение энергии квантов ОВП несколько меньше величины Её2.
2. Высокоэнергетический край полос ОВП соответствует зазору верх остовной - верх валентной зон, а ширина полос КЛ практически равна ширине валентной зоны кристаллов. В некоторых кристаллах ширина спектральных полос ОВП немного меньше ширины валентной