Сложные центры свечения в сильно легированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция

• Автор: Грузинцев, Александр Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1997
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 373 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Глава I. Методика эксперимента
§ I. Экспериментальная установка
§ 2. Метод примесного электропоглощения (НЭП) и метод
поляризованной электрооптической модуляции (ПЭОМ)
света
§ 3. Метод линейно-поляризованной люминесценции при
поляризованном внутрицентровом возбуждении
§ 4. Образцы и структуры
Глава 2. Теория сложных центров свечения в широкозонных
материалах
§ I. Введение
§ 2. Модель потенциалов нулевого радиуса
§ 3. Метод линейной комбинации атомарных орбиталей
(ЛКАО) для расчета бинарных комплексов дефектов.71 § 4. Статистика сложных центров в широкозонных
полупроводниках
§ 5. Форма линий люминесценции и поляризационные
характеристики сложных центров свечения
§ 6. Заключение
Глава 3. Влияние комшюксообразования собственных и примесных
дефектов на оптические свойства кристаллов
Сс&:баи Сс18:Тп
§ I- Введение. Вопрос о природе центров зеленого
свечения сульфида кадмия

§ 2» Природа центров зеленого свечения ионно-

имплантированных слоев Сделай CdS:In при
малых дозах внедрения
§ 3.. Расчет основных параметров и формы полос
люминесценции комплексов В системах Сс<Б!баи Сс*3:1п образующихся при малых дозах внедрения.110 § 4- Некоторые особенности фазовых переходов
А-АСВ®
§ 5“ Свойства монокристаллов ссгё, облученных ионами
6в и 1п при больших дозах
% 6» Разложение тройных соединений Сс1еа25 и СсЧп
на Ссгбаи саз я* при их обработке в расплаве
кадмия
§ 7" Заключение
Глава 4. Оптические свойства бинарных комплексов дефектов в
сульфиде кадмия, легированном литием
§ I- Введение
§ 2 Люминесцентные свойства и дефектная структура
монокристаллов саБ, легированных литием
§ 3" Влияние низкотемпературного отжига на
люминесцентные свойства кристаллов Сс1Б:1Д
люминесценцию и фотопроводимость с<*5 в краевой
области спектра
§ 5" Оптические свойства эксигонов, связанных на
комплексах дефектов в СИЛЬНО легированном Сс13:и .169 § 6" Заключение

Глава 5. Взаимодействие ионов Мп с собственными дефектами
сульфида цинка в кристаллах гтмпи тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе 2пБ:Мп
§ I. Введение
§ 2. Обнаружение новых полос свечения в кристаллах ZnS:Mn с различным содержанием марганца и в
пленках ZnS-Mn с разной концентрацией собственных
дефектов
§ 3. Влияние отжига в парах собственных компонентов
на полосы сложных центров свечения кристаллов
И пленок ZnS: Мп
§ 4. Особенности спектров фотопроводимости и
поглощения кристаллов ZnSsMn связанные со
сложными центрами свечения
§ 5. Желто-оранжевые электролюминесцентные структуры
на основе ZnS: Мл с изменяемым цветом свечения. 222 § 6. Заключение
Глава 6. Влияние сложных центров свечения на спектральные характеристики сульфидов щелочно-земельных металлов, легированных редкоземельными элементами, и тонкопленочных электролюминесцентных структур красного {CoS:Ей),зеленого < CaS:Ce)n СИНЄГ0
(CaSjTvn, SnS.'Ce) свечения на их основе
§ I" Введение
§ 2- Сложные центры свечения в люминофоре красного
цвета на основе СИЛЬНО легированного CaS:Eu.. 238 § 3 Влияние различных акцепторных соактиваторов на
люминесцентные свойства cas.-ce поликристаллов

на частоте f= 1,2 кГц формировалось звуковым генератором ГЗ-І09 усилителем мощности УМ-50 и высоковольтным трансформатором H0M-I0. Для контроля величины модулирующего напряжения использовался кшювольтметр С-95. Элекстрическов напряжение прикладывалось к исследуемым образцам через систему "сэндвича" (поперечное электропоглощение) или через компланарные контакты (продольное электропоглощение). Для изготовления "сэндвича" использовались кварцевые пластинки с напыленным на них прозрачным слоем 5п 02 . к таким слоям через тонкие проволочки подводилось модулирующее напряжение. Для предотвращения возможных интерференционных эффектов, вызванных неплотным прилеганием подложек к образцу, все воздушные зазоры в ‘'сэндвиче" заполнялись селиконовым маслом. В случае изменения продольного электропоглощения образцы изготовлялись в виде гзлоскопаралельных пластин, а контакты наносились на плоские граки напылением индия или нанесением проводящей пасты.
В экспериментах по исследованию электропоглощения обычно определяют относительное изменение пропускания dl/I в поле. Сигнал ПЭП d! , регистрируемый фотоприемыиком, подавался на вход узкополосного усилителя "Unipan-227", настроенного либо на частоту, либо на удвоенную частоту модулирующего напряжения. Запись сигнала осуществлялась самописцем "Endim 622". Пропускание образца без поля I записывалось нами отдельно, при этом излучение источника I модулировалось збтюраторои и регистрировалось той же электроникой, что и с/1
При всех измерениях образцы находились ка хладопроводе гелиевого оптического криостата. Спектральное разрешение установки в ходе измерений было не хуже 0,02 эВ, чувствительность измерений dl/I составляла - 5~ПГ5. Если при измерениях