Разрешенная во времени люминесцентная спектроскопия широкозонных кристаллов с использованием синхротронного излучения

• Автор: Махов, Владимир Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1997
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 224 с. : ил.

Содержание
Введение
1 Экспериментальные методы исследования оптических
свойств твердых тел с использованием синхротронного излучения
1.1 Электронные возбуждения ионных кристаллов и экспериментальные методы их исследования
1.2 Источник синхротронного излучения - ускоритель электронов С-60 ФИАН . *
1.3 Экспериментальные установки для исследования люминесценции твердых тел на пучках синхротронного излучения
1.3.1 Установка для спектрально-кинетических исследований люминесценции твердых тел при возбуждении вакуумным ультрафиолетовым излучением
1.3.2 Установка для спектрально-кинетических исследований люминесценции твердых тел при возбуждении синхротронним излучением в мягкой рентгеновской области
1.3.3 Установки для спектрально-кинетических исследований люминесценции твердых тел на зарубежных источниках синхротронного излучения
2 Кросс-люминесценция в ионных кристаллах
2.1 Первые эксперименты по исследованию кросс-люминесценции. Простейшая модель и основные свойства кросс-люминесценции
2.2 Моделирование спектров возбуждения кросс-люминесценции
с учетом приповерхностных потерь остовных дырок

2.3 Исследование температурной и энергетической зависимостей свойств кросс-люминесценции. Уточненная модель кросс-люминесценции
2.3.1 Температурная зависимость спектров кросс-люминесценции
2.3.2 Температурная зависимость кинетики кросс-люминесценции
2.3.3 Зависимость кинетики кросс-люминесценции от энергии возбуждения
2.3.4 Уточненная модель кросс-люминесценции
2.4 Кросс-люминесценция в многокомпонентных кристаллах
2.4.1 Собственная кросс-люминесценция сложных фторидов
2.4.2 Примесная кросс-люминесценция
2.4.3 Проблемы и перспективы практического использования кросс-люминесцентных кристаллов
3 Размножение электронных возбуждений в ионных кристаллах
3.1 Размножение электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах
3.2 Размножение электронных возбуждений во фторидах щелочно-земельных металлов
3.3 Размножение электронных возбуждений в кислородсодержащих соединениях
3.3.1 Размножение электронных возбуждений в УгОз
.3.3.2 Фотонное умножение в 2п28Ю4-Мп и 2п2СеС>4-Мп
3.3.3 Люминесценция кристаллического кварца при возбуждении в области 5-25 эВ
3.4 Ударный механизм размножения электронных возбуждений во фторидах редкоземельных элементов
4 Люминесценция редкоземельных ионов во фторидных матрицах
4.1 Люминесцентные свойства трифторидов редкоземельных элементов
4.2 Особенности спектрально-кинетических свойств люминесценции фторида церия

4.3 ВУФ люминесценция редкоземельных ионов (Nd3+, Er3+
и Tm3+) во фторидных матрицах
4.3.1 Кинетика 5d —» 4/ люминесценции Nd3+ во фторидних матрицах
4.3.2 ВУФ люминесценция Ег3+ и Тт3+ во фторидных матрицах
5 Разработка и использование люминесцентных методов детектирования образования дефектов под действием синхротронного излучения
Заключение
Литература

СИ совпадает с направлением входного плеча монохроматора, и люминесценция регистрируется со стороны образца, противоположной по ** отношению к его облучаемой поверхности, т.е. регистрируется люми-
несценция, прошедшая сквозь толщу образца. Во многих случаях это приводит к заметным искажениям спектра люминесценции из-за реабсорбции излучения, хотя эта схема ближе соответствует рассмотрению свойств реальных сцинтилляторов, т.к. свечение исходит как бы из объема кристалла. Фактически схема ”на просвет” исдользовалась только на начальном этапе эксплуатации установки и, главным образом, для измерения функции пропускания установки (аппаратной функции), которое производилось в прямом пучке СИ (эта процедура описана ниже). В постоянной эксплуатации установки используется схема ”на отражение” , в которой люминесценция регистрируется непосредственно с об-Ж лучаемой поверхности образца. В этом случае угол между падающим
на образец пучком СИ и входным плечом монохроматора составляет 60°.
Детекторами люминесценции служат ФЭУ-106 и ” солнечно-слепой” ФЭУ-142 (с окном из и областью спектральной чувствительности 115-350 нм), работающие в режиме счета одиночных фотонов. Окно с фотокатодом ФЭУ-142 расположено непосредственно в вакуумном объеме монохроматора, что позволяет регистрировать люминесценцию в ВУФ области спектра (с А > 115 нм). В случае регистрации с помощью ФЭУ-106 (он расположен вне вакуумного объема монохроматора и отделен от него кварцевым окном, т.е. используется в области 200-520 нм) излучение отводится в сторону ФЭУ с помощью зеркальца, вводи-* мого в пучок за выходной щелью монохроматора. Обладающий более
слабой чувствительностью (чем ФЭУ-106) ФЭУ-142 имеет встроенный в кожух ФЭУ предусилитель. Автоматизированная система измерений установки заимствована с установки для спектрально-кинетических исследований люминесценции при ВУФ возбуждении и включает в себя комплект блоков наносекундной логики в стандартах КАМАК и ”Вектор”, комплект измерительных и управляющих блоков в стандарте КАМАК, подключенных к ЭВМ ’’МЕРА-680”, и микрокомпьютер типа ”Электроника-85”, также подключенный к ЭВМ ’’МЕРА-680” и используемый в качестве ’’интеллектуального терминала”. Установка позволяет проводить измерения спектров люминесценции (в том числе разрешенные во времени), а также кривые затухания люминесценции с
регистрацией излучения в области спектра 115-520 нм. Временные ха-