Нелинейные фоторефрактивные и динамические процессы в сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок

• Автор: Белоненко, Михаил Борисович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Волгоград
• Количество страниц: 354 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Электронное строение и протонная проводимость
сегнетоэлектриков типа порядок- беспорядок
1.1 Метод молекулярного стехиометрического кластера
1.2 Электронное строение КОР
1.3 Электронное строение нитрита натрия
1.4 Особенности электронного строения поливинилиденфторида
с дефектами замещения
1.5 Псевдоспиновое представление и гамильтониан для сегнетоэлектриков с протонной проводимостью
1.6 Диаграммная техника и расчет собственно-энергетической части
1.7 Взаимодействие сегнетоэлектриков с протонной проводимостью
с ультракороткими лазерными импульсами
1.8 Выводы 87 ГЛАВА 2. Теория высокотемпературной фоторефракции в еегнето-
электриках КОР типа
2.! Основные закономерности высокотемпературной фоторефракции
в сегнетоэлектриках КОР типа
2.2 Дислокационная модель
2.3 Модель компоненты «быстрого отклика»
2.4 Динамика ультракороткого лазерного импульса в условиях фоторефракции
2.5. Автогенерация обращенной волны в условиях фоторефракции
2.6.Эффект пассивной модуляции добротности на фотоиндуциро-
ванной фазовой решетке в ГЖЭР
2.7 Особенности эффекта самоиндуцированной прозрачности в
фоторефрактивной среде

2.8 Некоторые применения фоторефрактивного эффекта в DKDP
2.9 Выводы 158 ГЛАВА 3. Нелинейная динамика сегнегоэлектрика типа порядок-
беспорядок в сильных электромагнитных полях
3.1 Локализация колебаний электрических диполей в антисегнетоэлект-риках типа порядок-беспорядок
3.2 Нелинейное возбуждение волнового пакета в сегнетоэлекгриках типа порядок-беспорядок
3.3 Динамика сегнегоэлектрика типа порядок-беспорядок взаимодействующего с ультракоротким лазерным имиульсом
3.4 Особенности эффекта самоиндуцированиой прозрачности в сешетоэлектриках типа порядок-беспорядок
3.5 Генерация второй гармоники в сегнетоэлекгриках типа порядок-беспорядок
3.6 Выводы
ГЛАВА 4. Особенности динамики сегаетоэлектрика типа порядок- беспорядок в присутствии сильных акустических полей
4.1 Солитонные решетки в сегнетоэлекгриках типа порядок-беспорядок
4.2 Динамика заряженных частиц в присутствии солитонных решеток
4.3 Автолокализованные возбуждения в сегнетоэлекгриках и сегаето-эластиках с примесными двухуровневыми центрами
4.4 Микроскопическая теория электроакустического эха в
сегнетоэлекгриках типа порядок-беспорядок
4.5 Микроскопическая теория электроакустического эха в антисегнетоэлекгриках типа порядок-беспорядок
4.6 Выводы

ГЛАВА 5. Влияние кластеров и микродоменов на оптические свойства

сегнетоэлекгриков типа порядок-беспорядок
5.1 Микродомены поляризации в низкотемпературной фазе
5.2 Элекгрострикционный есшитон как модель кластера в высокотемпературной фазе
5.3 Влияние дефектов на образование кластеров
5.4 Локализованные состояния заряженной частицы в сегнетоэяек-трическом кристалле
5.5 Взаимодействие поляризации с экситонами
5.6 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
БЛАГОДАРНОСТИ

Вместе с тем, сравнительно недавно [147] был открыт фогорефрак-гивный эффект в неполярной фазе твердого раствора КВР-ОКОР, связанный с возникновением в образцах внутрикристаллического поля ~2 10* В/см при облучении кристалла мощными лазерными импульсами с дайной волны ~! .06 мкм. Данный эффект имеет, по видимому, как фотоволь-таическую составляющую, связанную с фотоиндуцированными переходами зона-зона и “ловушка”-зона, гак и составляющую нефотовсяыаиче-ской природы, связанную с процессами переброса дислокаций. Заметим далее, что сегнетоэлектрики с водородными связями изоморфные КОР не относятся к классу сегнетоэлектриков-подунроводников (в последнее время данные вещества выделяются в новый класс “протонных” полупроводников) для которых механизмы фотовольтаичеекого эффекта надежно установлены [49]. Таким образом, для выяснения природы нового фото-рефрактивного эффекта требуется установить вклад и механизмы образования фотовольтаичеекого отклика в широкозонных сегнетоэлектриках с водородными связями, что естественно невозможно без расчета электронного строения и основных электронных характеристик таких сегнетоапек-триков.
Расчет электронного строения и энергетических характеристик зонной структуры дигидрофосфата калия проводился с использованием метода молекулярного стехиометрического кластера (глава 1.2). Сегнето-электрическая фаза кристалла КЛЭР имеет ромбическую кристаллическую решетку (а= 10.44, Ь= 10.53, с=6.90 а при -157 С) и относится к пространственной группе тш2 (см. Рис.1.1). Б качестве модели элемента объема кристалла был рассмотрен кластер в форме гранецентрированного параллелепипеда состава (КН2Р0а)у, а для расчета электронного строения
ИСПОЛЬЗОЗаЛлСЬ