Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs

• Автор: Цаххаев, Фалес Магомедович
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Рязань
• Количество страниц: 155 с. : ил.

Аннотация
Диссертационная работа посвящена исследованию механизмов релаксации электронов на гетерогранице п-А 1 ОаАз(81 )/Сга А.ч и ОаАз(5-81,81) наноструктур с высокой концентрацией носителей заряда. Изучены аномалии, связанные с существованием нескольких подзон размерного квантования.

СОДЕРЖАНИЕ.

Введение
1. Обзор литературы
1.1. Энергетический спектр и электронные свойства наноструктур
1.1.1. п- А1хОа].хА5/ОаА5 гетероструктура
1.1.2. Структуры с 8-легированием
1.2. Полу про во дн и ковы е наноструктуры (фундаментальное и прикладное значение)
2. Техника и методика эксперимента
2.1. Тестовые образцы
2.2. Криомагнитные системы
2.3. Особенности измерения кинетических коэффициентов в двумерных электронных системах
3. Механизмы релаксации 2И электронов в селективнолегированной гетероструктуре Л1хСа]-хЛ8/СаА8
3.1. Исходные экспериментальные результаты
3.2. Модельные представления и расчеты времен релаксации

3.3. Анализ механизмов релаксации
3.4. Выводы
4. Особенности межподзонной релаксации 2В электронов сильнолегированных гетероструктур ЛЮаАзуСаЛв
4.1. Экспериментальные источники информации
4.2. Анализ наблюдаемых аномалий явлений переноса
4.3. Обсуждение возможных моделей
4.4. Выводы
5. Анизотропия и аномалии низкотемпературного транспорта в 8-(81,8п) легированных наноструктурах на вицинальной грани ЬСаАэ матрицы
5.1. Аномалии кинетических коэффициентов
5.1.1. Низко- и высокотемпературная логарифмическая 92 проводимость.
5.1.2. Особенности вольт- амперных характеристик
5.1.3. Отрицательное магнитосопротивление
5.2. Экспериментальное проявление квантования электронного
спектра
5.2.1. Особенности осцилляций магнитосопротивления
5.2.2. Проявление квантовых эффектов в спектрах фотолюминесценции

Образцы для низкотемпературных измерений гальваномагнитных эффектов были изготовлены методом фотолитографии. Образцы имели форму двойного холловского креста с размером проводящего канала 4.14x0.15 мм2 или геометрию для измерений по методу Ван-дер Пау с размером активной области 1.5x1.5 мм2.
Контакты к образцам были изготовлены из разных материалов: индий, эвтектика ОеАи или СеАиПп Контакты к образцам формировались при различных условиях: в вакууме, атмосфере азота или водорода при температуре около 400 °С в течение нескольких минут.
Для исследований были отобраны образцы, на которых отсутствовало заметное проявление паразитного шунтирования по тройному соединению и контактному слою, о чем свидетельствует близость величин п3, измеренных по периоду осцилляций ШдГ и эффекту Холла п3н.
Высокое качество структур было обусловлено использованием эффузионной ячейки специальной формы, обеспечивающей рост в потоке Аз2 + Ая4. При одной и той же скорости роста время образования одного монослоя Ав из потока Аэ2 меньше, чем из потока Ая4. Это приводит к повышению миграции атомов и образованию островков больших размеров, что, в конечном счете, улучшает качество гетерограницы [2.1]. Для улучшения границ раздела использовалась также технология с прерыванием роста.