Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs
- Автор:
Цаххаев, Фалес Магомедович
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs», автор — Цаххаев, Фалес Магомедович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.04. Работа подготовлена в городе Рязань в 2000 году. Объем работы: 155 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000296691. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Методы диагностики атомных и ядерных процессов в исследованиях лазерной пикосекундной плазмы | Андрианов, Василий Петрович | 2004 |
| Многочастотный режим работы лампы бегущей волны М-типа | Буланцев, Сергей Сергеевич | 2014 |
| Кинетика генерации лазера на красителях с распределенной обратной связью | Дао Суан Хой, 0 | 1984 |