Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs
- Автор:
Цаххаев, Фалес Магомедович
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs», автор — Цаххаев, Фалес Магомедович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.04. Работа подготовлена в городе Рязань в 2000 году. Объем работы: 155 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000296691. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Шумовые характеристики молекулярно-электронных преобразователей диффузионного типа и перспективы применения приборов на их основе | Зайцев, Дмитрий Леонидович | 2009 |
| Расчет электронного обмена между атомной частицей и системами пониженной размерности | Гайнуллин, Иван Камилевич | 2005 |
| Оптимизация конструкции и режима питания мощного многорезонаторного релятивистского пролётного клистрона трёхсантиметрового диапазона с высоким КПД | Киеу Хак Фыонг | 2006 |