Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs
- Автор:
Цаххаев, Фалес Магомедович
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование численности элементарного акта автоэлектронной эмиссии металлов | Кочерыженков, Анатолий Васильевич | 1983 |
| Механизмы формирования и физико-химические свойства пленочных структур редкоземельный металл - кремний Si(III) | Кузьмин, Михаил Валерьевич | 1999 |
| Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия | Федин, Иван Владимирович | 2019 |