Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs
- Автор:
Цаххаев, Фалес Магомедович
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вынужденное комбинационное рассеяние света в оптических волокнах, допированных германием и фосфором | Гастон Мело Мельчор | 2006 |
| Принципы построения электронно-оптических систем мощных электронных приборов и методы их численного проектирования | Акимов, Павел Иванович | 2002 |
| Кинетические процессы и оптическое излучение различных стадий импульсного пробоя в коротких перенапряженных промежутках в инертных газах высокого давления | Аль-Шатрави Али Джихад Гатеа (Катаа Али Дж.) | 2011 |