Развитие методов интерпретации данных геоэлектрики в зонах субдукции японского типа

• Автор: Алексеев, Дмитрий Александрович
• Шифр специальности: 25.00.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 150 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ . ГЛАВА 1. Представления о нормальном геоэлектричсском разрезе. Основные выводы. ГЛАВА 2. ОПЫТ ГЕОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ В СУБДУКЦИОННЫХ ЗОНАХ. Электромагнитные исследования зон субдукции. Исследования западных окраин Тихого океана. Основные выводы. ГЛАВА 3. АНОМАЛЬНОЕ ПОВЕДЕНИЕ ИМПЕДАНСА ТЕМОДЫ В МОДЕЛИ БЕРЕГОВОГО ЭФФЕКТА. Модель берегового эффекта. Основные выводы. ГЛАВА 4. Построение семейства идеализированных ЗОгеоэлекгрических моделей субдукционной зоны. Профамма моделирования МТполей Р. Моделируемые функции отклика . Программы визуализации и редакции трехмерных моделей и модельных данных. В и С. Профиль А. Профили В и С. ГЛАВА 5. ИНВЕРСИЯ СИНТЕТИЧЕСКИХ МАГНИТОТЕЛЛУРИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ ОТКЛИКА В ИДЕАЛИЗИРОВАННОЙ ТРЕХМЕРНОЙ ГЕОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ СУБДУКЦИОННОЙ ЗОНЫ. Современные подходы к инверсии МТданных. Алгоритм и профамма инверсии Ив. Стратегия эксперимента. Оценка эффективности программы инверсии на двумерных МТданных в имитационном режиме. Параметры сегки и параметризация модели.


Высокотемпературные измерения электропроводности при низких давлениях выполняются с помошыо двух или четырехэлектродных установок, размещенных в капсуле для газового буфера. Измерения, производимые при высоких давлениях до ГПа осуществляются с применением специальных камер ivi . Основной механизм электропроводности, реализующийся в твердом мантийном силикатном веществе ионный, связанный с перемещением ионовноеителей заряда через структуру кристаллической решетки. Степень эффективности этого механизма существенно зависит от дефектов кристаллической решетки, наличие которых упрощает движение ионных частиц в матрице. Выделяют различные виды
дефектов, в частности, точечные дефекты Шотгки и Френкеля, отвечающие, соответственно, пустым позициям решетки и нарушенным промежуточным положениям се атомов. Концентрация этих видов дефектов связана с температурной активацией и характеризуется экспоненциальной зависимостью от обратной температуры 1Т. В то же время, точечные дефекты могут быть связаны с присутствием инородных включений в кристаллической решетке. Последнее обстоятельство обуславливает повышенный интерес исследователей к проблеме водородного загрязнения силикатного вещества верхней мантии, т. Подвижность дефектов также определяется экспоненциальной зависимостью от 1Т. ДН энтальпия активации, Т температура, к постоянная Больцмана. Р давление, V объем активации. Влияние давления на электропроводность вещества оказывается существенно более слабым по сравнению с влиянием температуры если только при этом не происходит фазовых переходов.