Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
- Автор:
Мармалюк, Александр Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
431 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС | Редичев, Евгений Николаевич | 2006 |
| Влияние неоднородности фазового состава диэлектрической подложки на процесс лазерного осаждения меди из раствора | Тумкин, Илья Игоревич | 2015 |
| Научное и технологическое обеспечение нанесения упрочняющих наноразмерных тонкопленочных покрытий для изделий электронной техники | Осипов, Александр Владимирович | 2004 |