Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
- Автор:
Мармалюк, Александр Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
431 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники», автор — Мармалюк, Александр Анатольевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2006 году. Объем работы: 431 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003313658. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах | Малибашев, Александр Владимирович | 2003 |
| Гетерофазные люминесцентные материалы на основе оксогалогенидных систем | Петрова, Ольга Борисовна | 2019 |
| Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента | Середин, Лев Михайлович | 2000 |