Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
- Автор:
Мармалюк, Александр Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
431 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций | Курочка, Александр Сергеевич | 2013 |
| Физико-механические свойства кремниевых наноструктур как технологического материала микросистемной техники | Залкинд, Яков Григорьевич | 2006 |
| Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния | Лысенко, Любовь Николаевна | 2001 |