Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
- Автор:
Ермошин, Иван Геннадьевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники | Копейкин, Андрей Николаевич | 2003 |
| Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников | Тюрнев, Николай Валерьевич | 2000 |
| Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения | Шагаров, Борис Анатольевич | 2000 |