Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
- Автор:
Ермошин, Иван Геннадьевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур», автор — Ермошин, Иван Геннадьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2009 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004480875. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Основы формально-эвристического проектирования вакуумного оборудования электронной техники | Львов, Борис Глебович | 2001 |
| Повышение качества бипланарных электронно-оптических преобразователей по параметру "отношение сигнал-шум" за счет разработки новых технологических режимов операции финишной обработки | Коновалов, Павел Игоревич | 2010 |
| Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации | Болесов, Игорь Анатольевич | 2004 |