Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
- Автор:
Ермошин, Иван Геннадьевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур», автор — Ермошин, Иван Геннадьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2009 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004480875. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование импульсных разрядов атмосферного давления и разработка оборудования для создания бактерицидной защиты технологических сред и изделий РЭА | Трепов, Дмитрий Александрович | 2008 |
| Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей | Олива, Эдуард Владимирович | 2002 |
| Структура и свойства низкотемпературных термоэлектрических материалов, полученных интенсивной пластической деформацией | Богомолов, Денис Игоревич | 2013 |