Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы
- Автор:
Гришко, Анна Сергеевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка конструкционных и технологических решений создания электронных устройств на поверхностных акустических волнах и встречно-штыревых преобразователях | Катаев, Владимир Федорович | 2013 |
| Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO2 и применение структур на их основе в функциональной электронике | Гурьянов, Андрей Валерьевич | 2003 |
| Получение композиционных материалов с использованием фотохромных и светоизлучающих соединений и применение многослойных структур на их основе в устройствах хранения и обработки информации | Гребенников, Евгений Петрович | 2010 |