Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы

• Автор: Гришко, Анна Сергеевна
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 136 с. : ил.

ГЛАВА 1. Диоды Шоттки. Характеристики приборов планарной и непланарной конфигурации. Шоттки. Эпитаксия в системах БНе, НЧ2. Двухтемпературная методика наращивания. Влияние кислородосодержащих примесей на эпитаксию кремния, минимальная температура процесса эпитаксиального наращивания. Влияние кристаллографической ориентации подложки на скорость роста эпитаксиальных слоев. ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ. Термодинамический блок математической модели процесса пиролиза моносилана в системе Н4Н2. Макрокинетический блок математической модели процесса пиролиза моносилана в системе Н4Н2. Схема реактора для процесса ПФЭХО при получении эпитаксиальных структур цилиндрической конфигурации. Гидродинамика в реакторе эпитаксиального наращивания. ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ. Исходные материалы. Подготовка цилиндрических подложек к эпитаксиальному наращиванию. Разработка методики полирования и контроля качества поверхности кремниевых цилиндрических подложек. Разработка методик измерения электрофизических параметров цилиндрических эпитаксиальных структур.


В в этом отношении еще достаточно хороши, и их выпускают большинство крупных производителей. Ассортимент диодов Шотгки с 6 максдоп. В уже значительно меньше, а среди приборов на 0 В диод марки 0 фирмы i . Известны высоковольтные кремниевые диоды Шотгки производства ВЗПП, однако они не получили широкого применения. В большинстве случаев вместо высоковольтного кремниевого диода Шотгки 6. В целесообразно включение двухтрех приборов с 6. В. На напряжение 0 В изготавливаются диоды Шоттки на основе арсенида галлия, а с конца г. Ii i начат выпуск диодов Шотгки на основе карбида кремния, с максдоп 0 и 0 В , однако они значительно дороже кремниевых. Все многообразие выпускаемых диодов Шотгки образуется сочетанием трех основных факторов базовые параметры технологического процесса изготовления кристалла, размеры и количество чипов, тип корпуса. Базовые парамегры технологического процесса род барьерного металла, уровень легирования и толщина эпитаксиального слоя задают максимально допустимое обратное напряжение диода, зависимость его обратного тока от напряжения и температуры, максимально допустимую температуру кристалла, зависимость прямого падения напряжения от плотности прямого тока и температуры и зависимость удельной емкости диода от обратного напряжения. Возможность существенно изменять важнейшие свойства диодов Шотгки выбором того или иного барьерного металла сильно отличает их от конкурирующих приборов и объясняет исключительное разнообразие типов выпускаемых диодов Шотгки, рисунок 2 .