Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы
- Автор:
Гришко, Анна Сергеевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si | Сизов, Алексей Владимирович | 2004 |
| Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления | Пинаев, Вячеслав Владимирович | 2011 |
| Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике | Фейгельсон, Борис Николаевич | 2003 |