Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы
- Автор:
Гришко, Анна Сергеевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование ультрагладких сверхтонких монокристаллических пленок металлов для устройств нанофотоники электронно-лучевым испарением в вакууме | Бабурин, Александр Сергеевич | 2019 |
| Разработка технологии изготовления и исследование многофункциональных интегрально-оптических элементов (МИОЭ) : | Падерин, Евгений Михайлович | 2007 |
| Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии | Вагапова, Наргиза Тухтамышевна | 2012 |